II-VI在5G無(wú)線(xiàn)領(lǐng)域取得硅薄膜金剛石技術(shù)新突破

  Iccsz訊 美國時(shí)間1月4日，工程材料和通信器件領(lǐng)導者II-VI公司宣布，一項應用在5G無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的硅薄膜金剛石技術(shù)獲得突破，這項成果是在與美國南佛羅里達州大學(xué) (USF)的聯(lián)合研究中獲得。

  如今，移動(dòng)通信設備商正計劃用5G無(wú)線(xiàn)技術(shù)來(lái)提高他們的高速寬帶服務(wù)，比起現有技術(shù)所能達到的性能，大帶寬和高功率器件的需求將更加急迫。II-VI公司和USF聯(lián)合研究完成了項目的第一階段，這個(gè)研究項目最早于2016年6月啟動(dòng)，旨在希望通過(guò)使用硅薄膜金剛石技術(shù)來(lái)發(fā)展一種新技術(shù)平臺，讓下一代高速電子器件能夠運用在5G手機中。

  II-VI公司平臺技術(shù)發(fā)展孵化部門(mén)總經(jīng)理Dr. Wen-Qing Xu表示：“盡管II-VI公司是工程材料和通信薄膜技術(shù)的領(lǐng)導者，但我們與USF的合作將加快技術(shù)的創(chuàng )新，幫助我們在5G無(wú)線(xiàn)器件市場(chǎng)爆發(fā)前做好充分準備?！?

  據了解，II-VI公司和USF的合作研究獲得來(lái)自佛羅里達高新通路委員會(huì )MGRP的補助支持，研究將關(guān)注原型器件的特點(diǎn)和器件設計、建模與制造。

  佛羅里達州電子工程學(xué)院副教授Dr. Jing Wang表示：“通過(guò)這項合作研究，USF的研究團隊可以提升在微機電硅薄膜金剛石領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)度，同時(shí)可以快速向II-VI公司提供技術(shù)方案。MGRP對本項目的支持，也是近年來(lái)十多個(gè)項目之一?！?

  對II-VI公司來(lái)說(shuō)，新硅薄膜金剛石技術(shù)平臺將完善該公司在高速無(wú)線(xiàn)應用領(lǐng)域GaAs和SiC工程材料的產(chǎn)品組合。