SiFotonics 推出100G/200G全集成相干發(fā)射接收芯片

　　ICCSZ訊   硅光領(lǐng)軍企業(yè)之一SiFotonics Technologies宣布成功開(kāi)發(fā)100G/200G全集成相干發(fā)射接收機一體芯片TR4Q11，為Metro客戶(hù)應用提供更加小型、更低成本、更高集成度的解決方案。

　　2015年底，SiFotonics曾推出100G全集成相干接收機芯片CR4Q01。值此一年之際，SiFotonics集成芯片團隊再次成功開(kāi)發(fā)出100G/200G全集成相干發(fā)射接收芯片。此產(chǎn)品符合OIF正在制定中的IC-TROSA應用協(xié)議，并能夠兼容支持100G DP-QPSK 和200G DP-16QAM系統傳輸。

　　TR4Q11單片集成了一系列由SiFotonics獨創(chuàng )的光纖波導耦合器、偏振旋轉分束/合束器、90°混頻器、8個(gè)40GHz Ge/Si波導型光探測器陣列、8個(gè)25GHz IQ調制器、可調光衰減器及MPD等，共計多達60多個(gè)有源和無(wú)源光波導元件被集成到面積僅為6.45×7.7 mm²的光芯片中，是目前報道的最高集成度的光集成芯片之一。高集成度不僅僅帶來(lái)封裝尺寸減小，更重要的是通過(guò)高度集成技術(shù)大幅降低光器件封裝復雜度、封裝時(shí)間和封裝成本，從根本上突破光器件一直以來(lái)的封裝成本過(guò)高的局限。

　　圖： (左)100G/200G全集成相干發(fā)射接收芯片;(右)發(fā)射機星座圖

　　SiFotonics負責硅光子芯片工藝開(kāi)發(fā)的資深總監洪菁吟博士提到：“盡管用于制造IC芯片的CMOS工藝已經(jīng)非常先進(jìn)和成熟，然而將其用于制造硅光集成芯片卻并不是那么容易——這花費了我們近十年的時(shí)間，解決了數不清的工藝和設計難題。最終我們開(kāi)發(fā)出了適用于硅光集成器件制造的CMOS工藝，開(kāi)始硅光芯片的大批量生產(chǎn)，先是單個(gè)探測器與探測器陣列芯片, 然后是全集成收發(fā)芯片。”

　　SiFotonics CEO潘棟博士補充道：“盡管從事光電器件的開(kāi)發(fā)已有20余年, 還是第一次看到如此高集成度的光芯片, 連同我們前些日子報道的業(yè)界最高性能25G APD 芯片, 硅光時(shí)代已經(jīng)來(lái)到。在銷(xiāo)售市場(chǎng)上我們的新產(chǎn)品海內外訂單旺盛, 擴產(chǎn)壓力增大, 內部對各方面人才的需求也與日俱增，特別是高端100G和相干器件的設計、封裝、測試等方面。我們一路走來(lái)，相信碩果已不遙遠。”

　　關(guān)于SiFotonics：

　　SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開(kāi)創(chuàng )者與領(lǐng)導者，為客戶(hù)提供下一代高速通訊解決方案。自2006年以來(lái)，公司一直致力于建立硅光子技術(shù)的領(lǐng)導地位。通過(guò)與CMOS Foundry合作開(kāi)發(fā)專(zhuān)屬硅光產(chǎn)線(xiàn), SiFotonics已實(shí)現鍺硅光電探測器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD)等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，目前該產(chǎn)線(xiàn)已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝開(kāi)發(fā)，且100G/400G全集成相干接收芯片已準備量產(chǎn)。