新加坡AMF推出PIC多層波導硅基氮化硅集成平臺

  ICCSZ訊(編譯：Aiur) 新加坡先進(jìn)微晶圓廠(chǎng)(Advanced Micro Foundry，AMF)，一家從IME獨立出來(lái)的新興企業(yè)，專(zhuān)注于提供硅光子代工能力，宣布推出多層級硅基氮化硅(SiN-on-Si)的光子集成電路(PIC)平臺。該平臺實(shí)現了3D光子納米結構的密集集成，該公司稱(chēng)其可實(shí)現小尺寸、低損耗、性能升級和制造公差。

  AMF表示，SiN-on-Si方法改進(jìn)了硅光子常用的絕緣體上硅(SOI)。 SOI方法在最頂層的硅層上制成光波導，并在頂部集成不同的功能(可能使用不同的材料)。SOI方法已經(jīng)成功用于制作光收發(fā)器中的光學(xué)次模塊、有源光纜、醫學(xué)傳感器、光學(xué)雷達和其他應用。

  不過(guò)，AMF CEO Dr. Tan Yong Tsong卻表示：“在其他產(chǎn)品中，例如超大規模(VLS)的光子集成電路要求高密集集成的片上光學(xué)路由網(wǎng)絡(luò )，其一個(gè)SOI平臺會(huì )受到單一波導層的限制。而與之相反，為了應對不同且復雜的要求，具有更低光學(xué)損耗的多個(gè)波導層成為了客戶(hù)需求?！?

  AMF表示SiN-on-Si方法可以滿(mǎn)足這些新興需求，相比于標準硅，SiN波導提供更低光學(xué)損耗。其與包層氧化物的低折射率對比度也增加了制造公差，在陣列波導光柵(AWG)和其他架構下可以充分使用。同時(shí)，AMF還補充到，SiN-on-Si方法可將高速調制器、鍺光電探測器和溫度可調器件被多個(gè)SiN波導集成在雙層SiN-Si或三層SiN-SiN-Si波導系統中。