重磅！三星宣布3nm成功流片！

  ICC訊  據外媒最新報道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片!

  據悉，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能上完勝臺積電的3nm FinFET架構!

  據報導，三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA 構的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。而因為三星的3 nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的 FinFET 的架構，而是采用 GAA 的結構。在此情況下，三星需要新的設計和認證工具，因此采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

  三星半導體設計技術(shù)團隊副總裁 Sangyun Kim 表示，三星半導體是推動(dòng)下一階段產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新的核心。所以，三星將藉由不斷進(jìn)行的技術(shù)制程發(fā)展，以滿(mǎn)足專(zhuān)業(yè)和廣泛市場(chǎng)應用不斷增長(cháng)的需求。如此，在三星電子最新的、先進(jìn)的 3 奈米 GAA 結構制程技術(shù)上，受惠于與新思科技的廣泛合作，在 Fusion Design Platform 加速準備，以有效達成 3 奈米制程技術(shù)的承諾，證明了這些關(guān)鍵聯(lián)盟的重要性和好處。

  報導指出，所謂的 GAA (Gate-all-around ) 架構，是一個(gè)周邊環(huán)繞著(zhù) Gate 的 FinFET 架構。依照專(zhuān)家的觀(guān)點(diǎn)，GAA 架構的晶體管能夠提供比 FinFET 更好的靜電特性，可滿(mǎn)足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力得以強化，藉此給予尺寸進(jìn)一步微縮提供了可能性。相較傳統 FinFET 的溝道僅 3 面被柵極包覆，GAA 若以奈米線(xiàn)溝道設計為例，溝道的整個(gè)外輪廓都被柵極完全包裹住，這就代表著(zhù)柵極對溝道的控制性能就更好。

  據了解，3 奈米 GAA 制程技術(shù)有兩種架構分類(lèi)，也就是 3GAAE 和 3GAAP。這是兩款以奈米片的結構設計，在鰭中具有多個(gè)橫向帶狀線(xiàn)。這種奈米片設計已被研究機構 IMEC 作為 FinFET 架構后續的產(chǎn)品進(jìn)行了大量研究，并由 IBM 與三星和格羅方德合作進(jìn)行了技術(shù)發(fā)展。

  三星指出，這種技術(shù)具被高度可制造性。原因是它利用了該公司現有的約 90% 的 FinFET 制造技術(shù)予設備，而只需要少量修改過(guò)的光罩即可。另外，該制程技術(shù)具有出色的柵極可控性，這比三星原本采用的 FinFET 技術(shù)高 31%，且因為奈米片信道寬度可通過(guò)直接圖像化來(lái)改變，這就給設計提供了靈活性。