重磅！中芯國際工藝獲重大進(jìn)展！

  ICC訊 10月12日，中國一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)芯動(dòng)科技，宣布公司已完成全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過(guò)!

  芯動(dòng)科技有限公司成立于2006年，是一家高端混合電路芯片設計公司，擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術(shù)，曾多次在芯片先進(jìn)工藝上填補國內空白。

  2020年，芯動(dòng)科技推出中國標準的INNOLINK Chiplet高性能計算平臺(CPU/GPU/NPU)，在各FinFET先進(jìn)工藝上定制多款芯片，全部一次成功上量。

  在中芯國際N+1工藝尚待成熟的情況下，芯動(dòng)科技的技術(shù)團隊投入數千萬(wàn)元進(jìn)行優(yōu)化設計，基于中芯國際N+1制程的首款芯片經(jīng)過(guò)持續數月、連續多輪的測試迭代，成功助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸，向著(zhù)實(shí)現大規模量產(chǎn)邁出了堅實(shí)一步。

  中芯國際是國內規模最大、也是技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)，而N+1工藝是中芯國際在第一代先進(jìn)工藝14nm量產(chǎn)之后的第二代先進(jìn)工藝的代號。

  此前，中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博士曾介紹，與現有的14nm工藝相比，N+1工藝的性能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積縮小63%，SoC面積減少55%。從邏輯面積縮小的數據來(lái)看，該工藝已與臺積電7nm相近。

  梁孟松博士表示，N+1代工藝在功耗及穩定性上跟7nm工藝非常相似，但性能要低一些(業(yè)界標準是提升35%)，所以中芯國際的N+1工藝主要面向低功耗應用的。中芯國際后續將推出的N+2在功耗上與N+1表現差不多，但主要面向高性能，同時(shí)成本也會(huì )有所增加。

  在此前公布的2020年上半年財報當中，中芯國際曾表示，第二代先進(jìn)工藝(N+1)進(jìn)展順利，已進(jìn)入客戶(hù)產(chǎn)品驗證階段。9月下旬，中芯國際再度對外回應稱(chēng)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導入階段，有望于2020年底小批量試產(chǎn)。

  結合相關(guān)報道，芯動(dòng)科技是中芯國際N+1工藝的首批客戶(hù)，并有望年底試產(chǎn)。

  截至10月12日收盤(pán)，中芯國際漲11.47%，現報20.60港元，最新市值1186.51億港元。

  本文轉載自：中國半導體論壇