華為、哈工大聯(lián)手：基于硅和金剛石的三維集成芯片專(zhuān)利公布

  ICC訊 近日，華為技術(shù)有限公司與哈爾濱工業(yè)大學(xué)共同申請了一項名為“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片混合鍵合方法”的專(zhuān)利。該專(zhuān)利已在2023年10月27日申請公布。

  據悉，這項新發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。其工作流程包括制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品，并進(jìn)行等離子體活化處理。隨后，將這些經(jīng)過(guò)等離子體活化的Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡在有機酸溶液中進(jìn)行清洗，然后將其干燥。

  接下來(lái)，在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品上滴加氫氟酸溶液，形成預鍵合表面。接著(zhù)，對準貼合并進(jìn)行預鍵合操作以得到預鍵合芯片。最后，通過(guò)熱壓和退火處理來(lái)完成整個(gè)混合鍵合過(guò)程。

  這一創(chuàng )新的技術(shù)方法實(shí)現了使用Cu/SiO2混合鍵來(lái)連接不同材質(zhì)的硅與金剛石，實(shí)現三維異質(zhì)集成的效果。此發(fā)明有可能帶來(lái)未來(lái)芯片制造技術(shù)的重大突破。

  需要注意的是，此新技術(shù)可能會(huì )引發(fā)培育鉆石概念的漲幅超過(guò)16%。