ICC訊 12 月 11 日消息,中國臺灣地區《聯(lián)合報》報道稱(chēng),臺積電正在熊本縣建設的第一工廠(chǎng)將于明年 2 月下旬舉行開(kāi)業(yè)典禮,二季度(4 至 6 月)進(jìn)入生產(chǎn)籌備的最終階段。
報道稱(chēng),開(kāi)業(yè)典禮除魏哲家到場(chǎng)外,日本政府高官也將出席,可能會(huì )正式公布目前正探討的在該縣建設第二工廠(chǎng)的計劃。
▲ 圖源:臺積電
公開(kāi)資料顯示,臺積電熊本第一工廠(chǎng)計劃生產(chǎn) 12/16 nm 和 22/28 nm 這類(lèi)成熟制程的半導體。臺積電 CEO 魏哲家 10 月披露財報時(shí)表示該工廠(chǎng)預計在明年年底開(kāi)始量產(chǎn),日本政府已決定向第一工廠(chǎng)提供最多 4760 億日元(IT之家備注:當前約 236.1 億元人民幣)的補貼。此外,臺積電還計劃在熊本縣建造第二家工廠(chǎng)來(lái)生產(chǎn) 5nm 芯片。
彭博社前段時(shí)間還報道稱(chēng),臺積電已告知供應鏈合作伙伴,稱(chēng)其正考慮在熊本縣建設第三座芯片工廠(chǎng),生產(chǎn)先進(jìn) 3 納米芯片,項目代號臺積電 Fab-23 三期。
知情人士表示,目前尚不清楚何時(shí)開(kāi)建第三工廠(chǎng),不過(guò)等到新工廠(chǎng)量產(chǎn)時(shí),3nm 可能已經(jīng)落后屆時(shí)最新技術(shù) 1-2 個(gè)世代。