ICC訊 為滿(mǎn)足SIN波導開(kāi)發(fā)需求,今年5月開(kāi)始CUMEC公司組織開(kāi)展了“微米級超厚高質(zhì)量氧化膜生長(cháng)工藝”核心技術(shù)的自主研發(fā)攻關(guān),并于近日取得重大突破。
在半導體制造業(yè),微米級超厚高質(zhì)量氧化膜生長(cháng)工藝是一個(gè)高難度的非常規工藝。對于CUMEC公司新建的8吋工藝平臺來(lái)說(shuō),國內沒(méi)有類(lèi)似的工藝可供參考,更得不到外界的技術(shù)支持,一切都需要從零開(kāi)始。新工藝的研發(fā)是艱難的,需要進(jìn)行大量的單項工藝試驗,工藝開(kāi)發(fā)從來(lái)都不是一帆風(fēng)順的,CUMEC工程師們廢寢忘食,或查詢(xún)文獻資料,或向資深工程師請教,或多模組配合開(kāi)展頭腦風(fēng)暴,大家心往一處想、智往一處謀、勁往一處使,經(jīng)過(guò)近60個(gè)日夜的奮戰,微米級的高質(zhì)量氧化膜的首批樣片終于制備完成,標志著(zhù)CUMEC公司在特殊原料替代進(jìn)口、降低成本的道路上邁出了關(guān)鍵的一步。
在CUMEC公司發(fā)展的道路上,不會(huì )一帆風(fēng)順,還會(huì )遇到很多的新問(wèn)題、新挑戰,但CUMEC人相信機遇與挑戰并存,抓住機遇,克服困難、迎接挑戰,CUMEC的發(fā)展道路定會(huì )越走越寬。