銘普光磁取得“一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)”發(fā)明專(zhuān)利證書(shū)

  ICC訊  (編輯：Nicole) 東莞銘普光磁股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)：銘普光磁或公司)于近日取得一項中華人民共和國國家知識產(chǎn)權局頒發(fā)的“一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)”發(fā)明專(zhuān)利證書(shū)。

  該發(fā)明公開(kāi)了一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)，包括：將光模塊放置在高溫環(huán)境下，當 MCU 溫度指針達到目標工作溫度時(shí)，調節激光器核心溫度值、偏壓電流值和 VEA 值，使光模塊的光功率、消光比、通道代價(jià)滿(mǎn)足目標值;以光模塊中 MCU 溫度指針為索引，根據服務(wù)器上預先存儲的數據庫中激光器核心溫度值、VEA 值與調節后的激光器核心溫度值、VEA 值的對應關(guān)系，動(dòng)態(tài)更新本地數據庫中激光器核心溫度值、VEA 值;在常溫和低溫下分別測試光模塊的光功率、消光比和通道代價(jià)，若性能正常，則完成參數配置。

  本申請通過(guò)上述步驟將帶 EML 激光器的光模塊在高溫調試和常溫低溫測試，即能制作成品率高和合格率高的產(chǎn)品。

  具體情況如下：

  證書(shū)號：第 4084859 號

  發(fā)明名稱(chēng)：一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)

  專(zhuān)利號： ZL 2018 1 1603013.2

  專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

  專(zhuān)利申請日：2018 年 12 月 26 日

  專(zhuān)利權人：東莞銘普光磁股份有限公司

  授權公告日：2020 年 11 月 10 日

  專(zhuān)利權期限：20 年(自申請日起算)

  銘普光磁表示獲得發(fā)明專(zhuān)利有利于充分發(fā)揮公司自主知識產(chǎn)權優(yōu)勢，完善知識產(chǎn)權保護體系，對公司開(kāi)拓市場(chǎng)及推廣產(chǎn)品產(chǎn)生積極的影響，形成持續創(chuàng )新機制，提升公司核心競爭力。