臺積電2022年研發(fā)費用近55億美元 N4P預計今年量產(chǎn)

  ICC訊  臺積電于6月6日舉行年度股東會(huì )，致股東報告書(shū)表示，臺積電2022年全年的研發(fā)費用達54.7億美元，用以擴大技術(shù)領(lǐng)先和差異化優(yōu)勢。其中5納米技術(shù)已是量產(chǎn)的第三年，為臺積電營(yíng)收貢獻26%。N4也于2022年開(kāi)始量產(chǎn)，且推出了N4P和N4X制程技術(shù)。N4P預計于2023年量產(chǎn)。

  臺積電報告中顯示，N3技術(shù)于2022年量產(chǎn)，N3E預計于2023年下半年量產(chǎn)，預期N3家族將成為臺積電另一個(gè)大規模且有長(cháng)期需求的制程技術(shù)。據悉，N4X是臺積電第一個(gè)專(zhuān)注于高效能計算(HPC)的技術(shù)，預計于2023年進(jìn)行客戶(hù)產(chǎn)品設計定案。

  臺積電指出，2納米技術(shù)將采用納米片(Nanosheet)電晶體結構，此前架構為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)。相較于N3E，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%，以滿(mǎn)足日益增加的節能計算需求。

  臺積電表示，公司也在不斷擴展臺積公司3DFabricTM設計解決方案，以提升系統級性能至新境界。臺積電3DFabricTM結合了晶圓級3D和先進(jìn)封裝技術(shù)。在3D技術(shù)方面，芯片堆疊(Chip on Wafer，CoW)技術(shù)成功于2022年量產(chǎn)，通過(guò)將靜態(tài)隨機存取芯片(Static Random Access Memory，SRAM) ) 堆疊于邏輯晶圓上展現顯著(zhù)的性能優(yōu)化。