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機構:韓國半導體競爭力連續四年下降

摘要:最近的一項研究表明,韓國的下一代半導體技術(shù)連續第四年落后于美國。由于美國和日本直接提供巨額補貼來(lái)吸引半導體公司,焦點(diǎn)在于韓國即將推出的至少10萬(wàn)億韓元的政府支持計劃將在多大程度上可增強該行業(yè)的競爭力。

  ICC訊 最近的一項研究表明,韓國的下一代半導體技術(shù)連續第四年落后于美國。由于美國和日本直接提供巨額補貼來(lái)吸引半導體公司,焦點(diǎn)在于韓國即將推出的至少10萬(wàn)億韓元的政府支持計劃將在多大程度上可增強該行業(yè)的競爭力。

  韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)評價(jià)管理院(KEIT)5月13日發(fā)布了《2023年產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平調查報告》,針對全球主要國家/地區(韓國、美國、日本、中國、歐盟)的產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平和相對技術(shù)差距發(fā)表了研究結果。以美國(技術(shù)水平100%)為基準,韓國的平均產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平為88.0%(技術(shù)差距0.9年),歐盟為93.7%(技術(shù)差距0.39年),日本為92.9%(技術(shù)差距0.39年),其次是中國83.0%(技術(shù)差距1.2年)。

  如果將美國頂尖技術(shù)水平視為100%標準,韓國下一代半導體技術(shù)水平從上次調查的90.1%下降到86.0%。

  韓國下一代半導體技術(shù)在2019年達到美國水平的92.9%,2021年下降至90.1%,2023年進(jìn)一步跌破90%。

  尤其是對生成式人工智能(AI)發(fā)展至關(guān)重要的系統半導體,僅達到美國水平的81.6%。韓國與美國的技術(shù)差距擴大至1.3年。中國以80.5%的技術(shù)水平緊隨其后。

  考慮到半導體約占韓國出口額的20%,專(zhuān)家們擔心半導體競爭力的減弱可能會(huì )對未來(lái)的經(jīng)濟增長(cháng)產(chǎn)生不利影響。韓國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )報告稱(chēng),韓國在系統半導體領(lǐng)域僅占3%的市場(chǎng)份額,而美國則占70%。

  韓國半導體工業(yè)協(xié)會(huì )常務(wù)理事An Gi-hyun強調,需要采取更大膽、主動(dòng)和持續的支持措施來(lái)培育系統半導體產(chǎn)業(yè),并表示:“從中長(cháng)期來(lái)看,必須建立一個(gè)系統半導體產(chǎn)業(yè)能夠獨立成長(cháng)的生態(tài)系統?!?

  縱觀(guān)25個(gè)主要產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域,韓國與技術(shù)領(lǐng)先國家/地區的技術(shù)差距最大的領(lǐng)域是下一代航空,為2.9年;其次是碳材料(技術(shù)差距1.5年)、陶瓷(技術(shù)差距1.4年)和金屬材料(技術(shù)差距1.2年)。韓國僅在未來(lái)顯示技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。韓國半年內可以趕上的領(lǐng)域包括電動(dòng)氫汽車(chē)(技術(shù)差距0.3年)和智能家居(技術(shù)差距0.4年)。

  從技術(shù)大分類(lèi)來(lái)看,除了顯示器和二次電池,美國在的所有技術(shù)中的47項中擁有最高技術(shù)水平,占比64.5%,而日本則擁有14項,在陶瓷、碳材料和根技術(shù)方面領(lǐng)先;韓國除了未來(lái)顯示中的5項技術(shù)外,韓國在“商用高性能鋰電池技術(shù)”和“鋰電池再利用技術(shù)”方面處于領(lǐng)先地位;歐洲在先進(jìn)制造工藝和設備以及造船和海上工廠(chǎng)領(lǐng)域擁有最高技術(shù)。

  美國和韓國之間的整體技術(shù)差距在過(guò)去八年中有所擴大。從2013年的1.4年擴大到2015年的1.5年,但2017年維持或收窄至1.5年,2019年為1.3年,2021年為0.8年。

  專(zhuān)家一致認為,要恢復失去的技術(shù)競爭力,韓國政府需要擴大研發(fā)投入。

內容來(lái)自:愛(ài)集微
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