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重慶科研在硅光領(lǐng)域取得重大突破

摘要:近日,聯(lián)合微電子中心有限責任公司面向全球發(fā)布了我國首個(gè)自主開(kāi)發(fā)的180納米成套硅光工藝設計工具,并建成國內首個(gè)硅光芯片全流程封裝測試實(shí)驗室。

 ICC訊 6月6日,重慶日報記者從重慶高新區獲悉,位于西部(重慶)科學(xué)城西永微電園的聯(lián)合微電子中心有限責任公司,面向全球發(fā)布了我國首個(gè)自主開(kāi)發(fā)的180納米成套硅光工藝設計工具,并建成國內首個(gè)硅光芯片全流程封裝測試實(shí)驗室。

聯(lián)合微電子中心工程師在實(shí)驗室進(jìn)行工藝測試。(受訪(fǎng)者供圖)

  這標志著(zhù)重慶已具備硅光領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力,并開(kāi)始向全球提供硅光芯片流片服務(wù)和光電設計自動(dòng)化設計服務(wù)。

  據悉,硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規模集成技術(shù),能夠大大提高集成芯片的性能,是大數據、人工智能、未來(lái)移動(dòng)通信等新興產(chǎn)業(yè)的基礎性支撐技術(shù),可廣泛應用于大數據中心、5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)。

  硅光芯片是通過(guò)標準半導體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路,主要由調制器、探測器、無(wú)源波導器件等組成,它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上。

  “5G時(shí)代,對數據傳輸的要求越來(lái)越高,傳統的電芯片在信號傳輸模式上遇到帶寬、功耗、延時(shí)等一系列瓶頸問(wèn)題?!?A href="http://joq5k4q.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e8%81%94%e5%90%88%e5%be%ae%e7%94%b5%e5%ad%90&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">聯(lián)合微電子中心相關(guān)負責人介紹,此次公司耗時(shí)近一年,開(kāi)發(fā)出國內領(lǐng)先、具有完全自主知識產(chǎn)權的180納米成套硅光工藝,可將光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性,以及微電子技術(shù)在大規模集成、低成本等方面的優(yōu)勢進(jìn)行結合,形成一個(gè)完整的、具有綜合功能的新型大規模光電集成芯片。

  此外,硅光芯片自動(dòng)化封裝也是業(yè)內難題。聯(lián)合微電子中心建成了國內首個(gè)硅光芯片全流程封裝測試實(shí)驗室。最新的封裝技術(shù)可以將光、電、溫控等進(jìn)行系統集成,為硅光芯片實(shí)現大規模生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)化掃清一大技術(shù)障礙。

  比利時(shí)皇家科學(xué)院院士、根特大學(xué)教授羅爾·巴茨表示,此次聯(lián)合微電子中心發(fā)布的180納米成套硅光工藝,標志著(zhù)該公司具備硅光領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力,是硅光領(lǐng)域的一大進(jìn)步。

  近年來(lái),重慶高新區依托光電子和微電子領(lǐng)域的創(chuàng )新平臺,在硅光領(lǐng)域率先布局,在科研基地、研發(fā)平臺、人才團隊等方面都加大了投入。據悉,2018年在西永微電園掛牌成立的聯(lián)合微電子中心,計劃用3至5年時(shí)間建設成為光電融合高科技領(lǐng)域的國家級創(chuàng )新平臺,將助力完善重慶市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條,優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)體系,為國家新一代信息基礎設施建設、打造成渝地區雙城經(jīng)濟圈和西部(重慶)科學(xué)城提供科技支撐。

內容來(lái)自:重慶日報
本文地址:http://joq5k4q.cn//Site/CN/News/2020/06/09/20200609005953099282.htm 轉載請保留文章出處
關(guān)鍵字: 聯(lián)合微電子 硅光
文章標題:重慶科研在硅光領(lǐng)域取得重大突破
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