臺積電或公布2nm工藝細節：功耗降低30%

  ICC訊 在9月份量產(chǎn)3nm工藝之后，臺積電下一代的工藝也已經(jīng)在路上了，2nm工藝未來(lái)兩年中將接替3nm工藝。臺積電在6月份正式公布了2nm工藝，并透露了一些技術(shù)細節，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

  不過(guò)在晶體管密度上，2nm工藝的提升就不那么讓人滿(mǎn)意了，相比3nm只提升了10%，遠低于以往至少70%的晶體管密度提升——按照摩爾定律來(lái)算，密度應該提升100%才算新一代工藝。此外，臺積電2nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間也要等到2025年下半年，這意味著(zhù)終端產(chǎn)品出貨要等到2026年了，升級周期也要比當前的節點(diǎn)慢不少。

  2nm工藝到底為什么密度提升有限？又有哪些首發(fā)客戶(hù)？這些關(guān)鍵問(wèn)題還要臺積電解答，正好8月30日該公司還有技術(shù)論壇會(huì )議召開(kāi)，2nm工藝勢必會(huì )是明天的焦點(diǎn)，臺積電屆時(shí)應該會(huì )公布更多的細節信息。