澤達半導體突破100G PAM4 EML量產(chǎn)技術(shù)，加速高速光通信發(fā)展

  ICC訊 作為光模塊核心器件，高速EML芯片長(cháng)期依賴(lài)進(jìn)口。在2025年光電子與通信會(huì )議（OECC）上，澤達半導體宣布成功開(kāi)發(fā)適用于大規模生產(chǎn)的100G PAM4電吸收調制激光器（EML），標志著(zhù)高速光通信芯片量產(chǎn)化取得關(guān)鍵進(jìn)展。該成果由項目總負責人Dr. K. Huang團隊主導完成，相關(guān)論文已被OECC收錄，并引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。

  技術(shù)創(chuàng )新驅動(dòng)量產(chǎn)化突破

  澤達半導體采用單脊波導結構和單對接再生生長(cháng)技術(shù)，簡(jiǎn)化了傳統EML的復雜制造流程，同時(shí)優(yōu)化了抗反射（AR）涂層，顯著(zhù)降低了殘余反射對信號的影響。此外，團隊通過(guò)精確調控InGaAsP多量子阱（MQW）的帶隙和應變，使芯片在光電性能和量產(chǎn)穩定性上達到行業(yè)領(lǐng)先水平。

模擬模型和反射結果

  高性能表現符合國際標準

  測試數據顯示，該芯片的3 dB帶寬達到54 GHz，在25°C至70°C的工作溫度范圍內，TDECQ（傳輸色散眼圖閉合代價(jià)）均低于3.0 dB，完全符合IEEE標準要求。這意味著(zhù)它能夠穩定支持100G PAM4高速信號傳輸，適用于下一代數據中心和5G光模塊應用。

  量產(chǎn)能力已就緒，加速市場(chǎng)應用

  目前，澤達半導體已建立完整的3英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，從外延生長(cháng)、光刻刻蝕到芯片測試均實(shí)現自主可控。團隊還自主開(kāi)發(fā)了一套測試系統，可高效評估芯片的直流特性、高頻響應及PAM4眼圖質(zhì)量，為大規模量產(chǎn)奠定基礎。

  項目負責人Dr. K. Huang表示：“我們的設計不僅優(yōu)化了性能，更注重低成本、高良率的量產(chǎn)可行性。隨著(zhù)5G和數據中心對高速光模塊需求的增長(cháng)，澤達的100G PAM4 EML將幫助客戶(hù)降低供應鏈風(fēng)險，并推動(dòng)國產(chǎn)光芯片的普及?！?

  市場(chǎng)前景廣闊，助力國產(chǎn)替代

  隨著(zhù)全球數據流量激增，100G及以上速率的光模塊需求持續增長(cháng)。澤達半導體的這一突破，不僅填補了國內高端EML芯片的量產(chǎn)空白，也為中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供了關(guān)鍵支持。未來(lái)，該技術(shù)有望進(jìn)一步擴展至200G/400G更高速率市場(chǎng)，推動(dòng)全球光通信技術(shù)的升級發(fā)展。