昊衡科技-OLI測試硅光芯片耦合質(zhì)量

  ICC訊 硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規模集成技術(shù)。光纖到硅基耦合是芯片設計十分重要的一環(huán)，耦合質(zhì)量決定著(zhù)集成硅光芯片上光信號和外部信號互聯(lián)質(zhì)量，耦合過(guò)程中最困難的地方在于兩者光模式尺寸不匹配，硅光芯片中光模式約為幾百納米，而光纖中則為幾個(gè)微米，幾何尺寸上巨大差異造成模場(chǎng)的嚴重失配。光纖微裂紋診斷儀(OLI)對硅光芯片耦合質(zhì)量檢測非常有優(yōu)勢，以亞毫米級別的空間分辨率精準探測到光鏈路中每個(gè)事件節點(diǎn)，具有靈敏度高、定位精準、穩定性高、簡(jiǎn)單易用等特點(diǎn)，是硅光芯片檢測的不二選擇。

  1、光纖微裂紋檢測儀(OLI)測試硅光芯片耦合連接處質(zhì)量

  使用OLI測量硅光芯片耦合連接處質(zhì)量，分別測試正常和異常樣品，圖1為硅光芯片耦合連接處實(shí)物圖。

圖1 硅光芯片耦合連接處實(shí)物圖

  OLI測試結果如圖2所示。圖2(a)為耦合正常樣品，圖2(b)為耦合異常樣品，從圖中可以看出第一個(gè)峰值為光纖到硅基波導耦合處反射，第二個(gè)峰值為硅基波導到空氣處反射，對比兩幅圖可以看出耦合正常的回損約為-61dB，耦合異常，耦合處回損較大，約為-42dB，可以通過(guò)耦合處回損值來(lái)判斷耦合質(zhì)量。

(a)耦合正常樣品

(b)耦合異常樣品

圖2 OLI測試耦合連接處結果

  2、結論

  使用OLI測試能快速評估出硅光芯片耦合質(zhì)量，并精準定位硅光芯片內部裂紋位置及回損信息。OLI以亞毫米級別分辨率探測硅光芯片內部，可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。