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通用單元硅基光電子集成電路的全局優(yōu)化

摘要:Clements等人提出通過(guò)增加額外的MZI級,并使用模擬退火算法對所有相移進(jìn)行全局優(yōu)化,從而顯著(zhù)提高通用單元式PIC的保真度



  引言

  通用單元光子集成電路(PIC)能夠在光域中執行任意單元變換,因此在光通信、深度學(xué)習和量子信息處理等應用領(lǐng)域具有極高的價(jià)值。這些電路采用馬赫-澤恩德干涉儀(MZI)作為基本構件,并使用定向耦合器(DC)或多模干涉儀(MMI)耦合器在每個(gè) MZI 內分光。



  為了實(shí)現理想的工作狀態(tài),MZI 中的每個(gè)分光器都需要精確的 50:50 分光比。然而,在實(shí)際制造的設備中,這一比例對制造誤差非常敏感,這給在所需波長(cháng)上實(shí)現高工作保真度帶來(lái)了巨大挑戰。此外,工作波長(cháng)范圍有限,因為當波長(cháng)偏離最佳值時(shí),保真度會(huì )迅速降低。

  Clements 等人提出了這些通用單元式 PIC 的通用結構,如圖 1(a)所示。對于具有 N 個(gè)輸入和輸出端口的器件,需要 N 個(gè) MZI 級來(lái)實(shí)現任意的 N×N 單元矩陣。 

圖 1:(a) Clements 等人提出的通用單元式 PIC 結構示意圖;

(b) 本研究提出的結構,以增加一個(gè)額外的 MZI 級為例。MZI 級的數量還可以進(jìn)一步增加。


  在這項工作中,作者提出了補償制造誤差的方法,即增加額外的 MZI 級,并使用模擬退火算法對所有相移進(jìn)行全局優(yōu)化。然后,他們使用在硅絕緣體 (SOI) 平臺上制造的 4×4 通用單元 PIC 進(jìn)行了實(shí)驗,證明了該方法的可行性。


  原理與分

  在實(shí)際設備中,由于硬件誤差,實(shí)驗實(shí)現的矩陣 U_exp 與目標矩陣 U 存在偏差,保真度可計算如下:

  通過(guò)增加 MZI 級數并使用模擬退火算法對所有相移進(jìn)行全局優(yōu)化,當分裂比偏離理想的 50:50 值時(shí),保真度可以得到改善。

  作者對具有不同級數的 4×4 電路的保真度進(jìn)行了數值分析,假設所有相移的控制精度為 0.01 rad,平均分割比為 r:100-r(其中 r 為 0 到 100 之間的變量),標準偏差為 2,目標矩陣為 1000 個(gè)哈爾隨機單元矩陣。圖 2 所示的結果表明,即使不增加階段(M = 4),優(yōu)化后的平均保真度也有顯著(zhù)提高。增加級數可進(jìn)一步提高保真度,但級數越多,插入損耗越大,因此必須為實(shí)際設備選擇合適的級數。

圖 2:使用不同電路實(shí)現 1000 個(gè)隨機目標矩陣時(shí)的平均保真度。

  實(shí)驗結果

  為了實(shí)驗證明他們的方法,作者在硅基光電子 SOI 平臺上制作了一個(gè) 4×4 通用單元 PIC,如圖 3(a) 所示。波導核心的尺寸為 440 × 220 nm^2,熱光學(xué)移相器用于調節 MZI。實(shí)驗裝置如圖 3(b)所示,包括向輸入端口注入光,將其平均分成 4 個(gè)波導,用 4-MZI 陣列對其進(jìn)行調制以產(chǎn)生矢量,并使用外部光電探測器測量 4 個(gè)輸出端口的光功率。

圖 3:(a)在硅基光電子 SOI 平臺上制造的 4×4 通用單元 PIC。沒(méi)有添加額外的 MZI 級。(b) 實(shí)驗裝置。PC:偏振控制器。PD:光電探測器。

  作者首先將波長(cháng)為 1.55μm 的光注入電路,并優(yōu)化所有相移,以獲得兩個(gè)二進(jìn)制矩陣(如圖 4 中的插圖所示)。然后,在保持相位條件不變的情況下,他們將波長(cháng)從 1.5 μm 掃至 1.6 μm,并測量了每個(gè)波長(cháng)的保真度。

  接下來(lái),他們使用自己提出的算法優(yōu)化了多個(gè)波長(cháng)的所有相移,并再次測量了保真度。如圖 4 所示,當波長(cháng)偏離 1.55 μm 時(shí),保真度有所提高,即使電路中沒(méi)有增加額外的 MZI 級。作者希望通過(guò)增加額外的 MZI 級來(lái)進(jìn)一步提高保真度。

圖 4:分別經(jīng)過(guò)和未經(jīng)過(guò)全局優(yōu)化的兩個(gè)二進(jìn)制矩陣的測量保真度。每個(gè)波長(cháng)都進(jìn)行了優(yōu)化。

  結論

  在這項工作中,作者提出通過(guò)增加額外的 MZI 級,并使用模擬退火算法對所有相移進(jìn)行全局優(yōu)化,從而顯著(zhù)提高通用單元式 PIC 的保真度。他們使用在硅基光電子 SOI 平臺上制造的 4×4 通用單元 PIC 通過(guò)實(shí)驗證明了該方法的可行性。這種方法可應用于無(wú)需頻繁重新配置的靜態(tài)場(chǎng)景,從而提高光通信、深度學(xué)習和量子信息處理應用的性能。


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