日本6G技術(shù)新進(jìn)展！可使半導體的導電性提高至4倍

  ICC訊  近日，據CNMO了解，日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國康奈爾大學(xué)的研究團隊開(kāi)發(fā)出了用于“6G”的半導體成膜技術(shù)。據悉，該技術(shù)能夠去除成膜過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì)，使晶體管材料的導電性提高至約4倍。相關(guān)媒體報道稱(chēng)，該技術(shù)計劃應用于產(chǎn)業(yè)用途，例如在高速無(wú)線(xiàn)通信基站上增幅電力等。

  據相關(guān)媒體報道稱(chēng)，目前想要實(shí)現超高速通信，需要導電性強的晶體管。該硬性需求使得，在基板上分別層疊電子生成層和電子轉移層的高電子遷移率晶體管被人們所關(guān)注。據目前的技術(shù)，電子生成層大多使用的氮化鋁鎵，其中，導電性強的氮化鋁(AlN)的含有率為20～30%，而新技術(shù)將提高氮化鋁的比率。

  據相關(guān)媒體報道稱(chēng)，上述研究團隊開(kāi)發(fā)出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管(HEMT)制造技術(shù)。此前的技術(shù)在成膜過(guò)程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產(chǎn)生的氧雜質(zhì)改變氮化鋁的結晶，難以獲得高導電性。而新技術(shù)則可以通過(guò)形成非常薄的鋁膜，以此來(lái)還原表面的氧化膜，并使其揮發(fā)，解決了這一難題。最終將導電性提高到原來(lái)的3-4倍。

  該技術(shù)的特點(diǎn)是不需要使用價(jià)格更高的氮化鋁基板，轉而可以在直徑約5厘米的較大藍寶石基板上實(shí)現這一構造。據悉，研究團隊計劃改用更實(shí)用的方法，將在一年內試制出高電子遷移率晶體管。

  準化建設，夯實(shí)5G應用網(wǎng)絡(luò )基礎，推動(dòng)落實(shí)河北省5G應用“領(lǐng)航”行動(dòng)計劃(2022-2024年)，為數字經(jīng)濟發(fā)展做出通信行業(yè)新貢獻。