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IC Insights:三星、SK海力士、美光占據2021年DRAM市場(chǎng)份額94%

摘要:DRAM 市場(chǎng)在 2019 年下跌 37%,但在 2021 年飆升 42%。2021 年,三家最大的供應商三星、SK 海力士和美光總共占有 94% 的 DRAM 市場(chǎng)份額??偛吭O在韓國的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 銷(xiāo)售的 71.3%。

  ICC訊  當地時(shí)間 5 月 24 日,IC Insights 根據《麥克林報告》摘編稱(chēng),在過(guò)去 30 年中,DRAM 市場(chǎng)的特點(diǎn)是經(jīng)歷了驚人的增長(cháng)時(shí)期和毀滅性的崩潰年份。近年來(lái),DRAM 市場(chǎng)在 2019 年下跌 37%,但在 2021 年飆升 42%。無(wú)論是什么原因,“繁榮、蕭條”的周期使主要的 DRAM 供應商的數量從 1990 年代中期的 20 家降至現在的 6 家。2021 年,三家最大的供應商三星、SK 海力士和美光總共占有 94% 的 DRAM 市場(chǎng)份額??偛吭O在韓國的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 銷(xiāo)售的 71.3%。

  報告稱(chēng),憑借 44% 的市場(chǎng)份額,三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供應商,銷(xiāo)售額達到近 419 億美元。去年,三星在多個(gè)方面推進(jìn)其 DRAM 業(yè)務(wù),包括在 2020 年 3 月率先使用極紫外(EUV)光刻技術(shù)后,于 2021 年 10 月開(kāi)始大規模生產(chǎn)基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過(guò)程中,三星將其最先進(jìn)的 14nm DDR5 上的 EUV 層數從兩層增加到了五層 DRAM 工藝。

  2021 年 11 月,三星表示,其已經(jīng)應用 EUV 技術(shù)開(kāi)發(fā)了 14nm 16Gb 低功耗雙倍數據速率 5X (LPDDR5X) DRAM,專(zhuān)門(mén)用于 5G、人工智能 (AI)、機器學(xué)習 (ML) 和其他大數據終端應用等高速率應用。該公司聲稱(chēng),LPDDR5X DRAM 的數據處理速度最高可達 8.5Gbps (比現有的 6.4Gbps LPDDR5 器件快 1.3 倍),比 LPDDR5 內存節省約 20% 的功耗。此外,該公司還發(fā)布了其首個(gè)支持新型計算快速鏈接 (Compute Express Link,CXL) 互連標準的 DRAM 內存模塊,并發(fā)布了專(zhuān)為自主電動(dòng)汽車(chē)和高性能信息娛樂(lè )系統設計的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽車(chē) DRAM。

  SK 海力士在 2021 年 DRAM 市場(chǎng)占有率為 28%,排在第二位,銷(xiāo)售額為 266 億美元,增長(cháng) 39%。DRAM 占該公司 2021 年半導體總銷(xiāo)售額的約 71%,具體市場(chǎng)表現分別為:服務(wù)器 DRAM 占 40%;移動(dòng) DRAM 占 35%;PC DRAM 占 15%;消費類(lèi)和顯卡 DRAM 各占 5%。2021 年,SK 海力士發(fā)布了據稱(chēng)是業(yè)界最高性能的 DDR5 DRAM,其數據速度能夠每秒傳輸 163 部全高清電影。該芯片被稱(chēng)為 HBM3,因為它是海力士的第三代高帶寬內存。與三星一樣,SK 海力士也開(kāi)始在以第 4 代 10nm 制程 (1a nm) 為基礎的 8Gb LPDDR4 DRAM 的批量生產(chǎn)中使用 EUV 光刻技術(shù)。

  此外,美光在 2021 年是第三大 DRAM 供應商,DRAM 銷(xiāo)售額增長(cháng) 41% 至 219 億美元,占全球市場(chǎng)份額的 23%。整體而言,DRAM美光全年 IC 總銷(xiāo)售額 300 億美元的 73% 左右。2021 年,美光推出了 1a nm 內存節點(diǎn)。該節點(diǎn)由新的 CPU 平臺驅動(dòng),設計部分是為了支持數據中心向 DDR5 DRAM 的過(guò)渡,預計將在今年晚些時(shí)候開(kāi)始發(fā)展,并在 2023 年獲得增長(cháng)勢頭。美光的 1a nm DRAM 也被應用于低功率通信應用,包括 5G 智能手機。盡管該工藝不需要 EUV 光刻技術(shù),但美光已經(jīng)訂購了 EUV 設備,并計劃從 2024 年開(kāi)始使用其 1 伽馬 (1 gamma) 納米節點(diǎn)過(guò)渡到 EUV 技術(shù)來(lái)生產(chǎn) DRAM。

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