中國科大揭示集成光量子器件中單光子阻塞新原理

  ICC訊  我校郭光燦院士團隊在集成光子芯片量子器件的理論研究中取得重要進(jìn)展。該團隊鄒長(cháng)鈴研究組提出了在單個(gè)光學(xué)模式中利用極弱的光學(xué)非線(xiàn)性實(shí)現光子阻塞的新原理和新方案，并分析了其在集成光學(xué)芯片上實(shí)現的實(shí)驗可行性。相關(guān)成果以“Single-Mode Photon Blockade Enhanced by Bi-Tone Drive”為題于7月18日發(fā)表在國際知名期刊《物理評論快報》上。

  單光子之間的非線(xiàn)性相互作用是在室溫下實(shí)現可擴展光量子信息處理的核心資源。然而，受限于材料的非線(xiàn)性極化率和光學(xué)損耗，在非線(xiàn)性光學(xué)系統中直接觀(guān)測到單光子級的光子相互作用極為困難，因此傳統的單光子產(chǎn)生方法主要依賴(lài)于概率性的參量下轉換并需要較高的泵浦光功率。

  鄒長(cháng)鈴課題組近年致力于集成光子芯片量子器件研究。在集成芯片上，非線(xiàn)性光學(xué)效應能夠通過(guò)微納光學(xué)結構得到極大的增強?；谖⑶辉鰪姷姆蔷€(xiàn)性光學(xué)效應，開(kāi)展少光子、甚至單光子級的物理和應用研究。此前，于2020年提出了利用光子二階非線(xiàn)性實(shí)現確定性、高保真度光子-光子量子相位門(mén)[Phys. Rev. Applied, 13, 044013 (2020)編輯推薦]，有望在室溫下實(shí)現不需要原子、超導比特等元件的可擴展量子信息處理。

  最近，國際上集成非線(xiàn)性光子學(xué)的實(shí)驗研究取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，以鈮酸鋰、磷化銦鎵等材料為代表的平臺已經(jīng)將光學(xué)模式的單光子非簡(jiǎn)諧度提升到了1%量級，提供了一種在室溫下實(shí)現弱光量子效應的新途徑。例如，通過(guò)多個(gè)微腔耦合構建多模量子干涉，或者以脈沖激光驅動(dòng)單個(gè)微腔，可以實(shí)現單光子的阻塞效應，從而利用集成光子器件從相干激光中過(guò)濾出單個(gè)光子。但是，這些研究方案所需結構復雜，基于現有實(shí)驗條件很難實(shí)現。此外，單模腔中動(dòng)力學(xué)阻塞(dynamical blockade)的效果較差且物理機制尚不清楚。

  圖1.單模非線(xiàn)性光學(xué)腔中的光子阻塞

  針對以上難題，研究組引入光子的頻率自由度，提出在單個(gè)光學(xué)模式中利用兩束連續激光控制其動(dòng)力學(xué)演化。通過(guò)利用非線(xiàn)性腔對不同頻率驅動(dòng)的非均勻相應，在特定時(shí)間精準調控不同光子數態(tài)的布居數分布，高保真度地產(chǎn)生亞泊松量子統計光場(chǎng)?；谝褕蟮赖?A href="http://joq5k4q.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e9%9b%86%e6%88%90&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">集成鈮酸鋰芯片的實(shí)驗參數，研究者證明了該方案的實(shí)驗可行性。審稿人一致認為，該研究引入了全新的物理機制(“the authors have introduced genuinely new physics”)，揭示了動(dòng)力學(xué)光子阻塞的物理本質(zhì);在已報道的相關(guān)研究中是最簡(jiǎn)單的且消耗了最少的資源(“it can generate antibunched light with high fidelity and minimal requirements”)。

  中國科學(xué)院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗室特任副研究員李明博士和張延磊博士為論文共同第一作者，鄒長(cháng)鈴教授為通信作者。本研究得到了科技部、國家自然科學(xué)基金委和安徽省的支持。

  文章鏈接：

  https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.129.043601

  (中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗室、中科院量子信息和量子科技創(chuàng )新研究院、科研部)