ICCSZ訊 是德科技公司近期宣布推出最新款的高性能先進(jìn)低頻噪聲分析儀(A-LFNA),旨在實(shí)施快速、準確、可重復的低頻噪聲測量。該版本配備全新用戶(hù)界面,并與是德科技的WaferProExpress軟件緊密集成——這是一款對半導體器件執行自動(dòng)化晶圓級測量的平臺。作為這一大框架的組成部分,該平臺能讓工程師更好地理解器件和電路中的噪聲。相比之下,獨立系統要達到同樣目標,需要進(jìn)行大量復雜測量。
當今的半導體器件表征工程師通常希望采用靈活、可擴展的噪聲測量系統。他們尤其需要一個(gè)功能強大的綜合性平臺,以便將先進(jìn)的低頻器件噪聲測量和分析與晶圓級測量集于一身,從而能夠管理完整的晶圓級表征。是德科技的A-LFNA與WaferProExpress軟件完美集成,能夠提供這樣的功能。該綜合解決方案有助于工程師對晶圓級以及封裝的各類(lèi)元件、單獨器件和集成電路進(jìn)行噪聲測量。與以前一樣,使用WaferProExpress的工程師可以通過(guò)編程執行快速直流、電容和射頻S參數測量,并可排列測量順序,同時(shí)自動(dòng)化控制探針臺?,F在,隨著(zhù)噪聲測量模塊的推出,他們能將噪聲測量和分析添加到測試套件中。
ALFNA內置的測量程序能進(jìn)行完整的直流和噪聲測量。例如,為了測量N型MOSFET上的噪聲,系統會(huì )自動(dòng)選擇能最好地呈現固有器件噪聲的源和負載阻抗。工程師可以采用這些建議的設置,也可以對其做出更改,然后啟動(dòng)噪聲測量。A-LFNA會(huì )對噪聲功率譜密度(1/f噪聲)和時(shí)域的RTN噪聲進(jìn)行測量。得出的數據在多圖數據顯示窗口中繪圖顯示。各種窗口選項卡有助于執行常見(jiàn)的任務(wù),如評測器件的直流工作點(diǎn),以及測量功率譜密度曲線(xiàn)的斜率。使用是德科技的ModelBuilderProgram(MBP)和IC-CAP等器件建模工具,也可以通過(guò)器件模型對噪聲數據進(jìn)行分析并顯示結果。電路設計人員能夠使用這些器件模型來(lái)確保高精度的射頻和模擬低噪聲電路設計。
是德科技副總裁兼設計與測試軟件事業(yè)部總經(jīng)理ToddCutler表示:“我們的客戶(hù)在進(jìn)行器件表征和建模時(shí),會(huì )面臨不同的測試需求,包括氮化鎵可靠性、CMOS建模和磁性傳感器測試等。通過(guò)A-LFNA的新軟件用戶(hù)界面,我們?yōu)榭蛻?hù)提供了獨一無(wú)二的能力,使其能對晶圓上的器件噪聲進(jìn)行測量和建模,同時(shí)還為他們提供了全面、靈活的測量選項,用于測量從直流到電容再到微波頻率S參數的各方面特性”。
是德科技的A-LFNA具有業(yè)界領(lǐng)先的噪聲靈敏度(-183dBV2/Hz),器件建模和電路表征工程師能用它來(lái)快速、準確地表征高壓(200V)和超低頻率(0.03Hz)的器件。這種能力使其非常適用于半導體工廠(chǎng)開(kāi)發(fā)制程設計套件,以及在器件制造過(guò)程中進(jìn)行統計制程控制。運算放大器和線(xiàn)性穩壓器的IC制造商還可以使用A-LFNA來(lái)表征其技術(shù)資料中的輸出電壓噪聲技術(shù)指標。