SK海力士將投資 1060 億美元在韓國建設芯片工廠(chǎng)，第四季度動(dòng)工

訊石光通訊網(wǎng) 發(fā)布時(shí)間:2021/4/2 16:30:03 編者:iccsz

摘要：據韓國媒體消息，芯片制造商SK 海力士新建工廠(chǎng)的規劃今日得到韓國政府批準，該工廠(chǎng)總投資額將達到 1060 億美元，地點(diǎn)位于首爾南部約50 公里的位置。

ICC訊據韓國媒體消息，芯片制造商SK 海力士新建工廠(chǎng)的規劃今日得到韓國政府批準，該工廠(chǎng)總投資額將達到 1060 億美元，地點(diǎn)位于首爾南部約50 公里的位置。

消息表示，SK 海力士此工廠(chǎng)總面積額將達到 415 萬(wàn)平方米，計劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開(kāi)工，2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠(chǎng)將包含四個(gè)晶圓加工廠(chǎng)，每個(gè)月產(chǎn)量為 80 萬(wàn)片。

SK 海力士近日表示，將在未來(lái) 10 年內開(kāi)發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的 NAND 閃存。截至目前，該公司已經(jīng)成功研發(fā)出 176 層堆疊的 3D NAND。新技術(shù)將引入新的電介質(zhì)材料來(lái)保持均勻電荷，從而保持可靠性，減少漏電。

內容來(lái)自：IT之家
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