Rockley的硅光技術(shù)

先前的筆記(硅光工藝平臺比較(更新))，小豆芽比較過(guò)不同的硅光工藝平臺 ，當時(shí)沒(méi)有搜集到英國Rockley公司的相關(guān)資料。最近Rockley在一篇IEEE的刊物上詳細介紹了他們的硅光技術(shù)，小豆芽這里簡(jiǎn)單梳理一下。

與一般的硅光技術(shù)相比，Rockely采用的是3um厚的厚硅技術(shù)，而不是傳統的220nm厚的硅波導。典型的波導結構如下圖所示，

（圖片來(lái)自文獻1）

典型的波導參數為w=h=3um, e=1.8um。

Rockley的文章中列出了大多數Foundry選擇220nm厚硅波導的主要原因有：1）為了滿(mǎn)足單模波導條件，2）已有的CMOS設備不能處理厚硅(這一點(diǎn)小豆芽存疑)，3）為了使用基于PN結的高速調制器。而波導尺寸變大后，波導中可能存在高階模式，可能會(huì )引入額外的損耗。關(guān)于單模的問(wèn)題，Rockley通過(guò)結構的設計，只激發(fā)波導的基模，從而克服高階模損耗的問(wèn)題。

Rockley花費較大的篇幅，列出了采用3um厚硅波導的優(yōu)勢，主要有下面幾點(diǎn)：

1）偏振不敏感性

下圖是其波導的TE0和TM0模場(chǎng)分布，可以看出兩者的區別非常小。220nm厚的硅波導是偏振敏感的，通常使用TE模。因此，對應的接收端常采用偏振分集(polarizatoin diversity)的方案。Rockley的厚硅波導方案對偏振不敏感，系統中可以省去一些偏振操控器件。

（圖片來(lái)自文獻1）

2）較低的傳輸損耗

由于波導模式與波導側壁的重疊相對較小，3um厚的硅波導傳輸損耗可以比220nm厚的硅波導損耗(2-3dB/cm)下降一個(gè)數量級，傳輸損耗在0.2dB/cm左右。Rockley的不同類(lèi)型波導的損耗，如下表所示，

（表格來(lái)自文獻1）

3）較高的工藝容差性

在一些干涉器件中，硅波導加工的不完美，會(huì )引入相位誤差(phase error)，從而導致器件工作波長(cháng)的漂移，例如AWG、級聯(lián)Mach-Zehnder型濾波器。而對于3um的硅波導來(lái)說(shuō)，相同的波導尺寸偏差，引入的相位誤差更小，最終使得其對工藝的容差性更高。具體的比較，如下表所示，

（表格來(lái)自文獻1）

從上表中可以看出，采用3um厚的硅光波導，其波長(cháng)偏移非常小，只有零點(diǎn)幾納米的變化。較高的工藝容差性，對應較高的良率和較低的成本。

4）可承受較大的光功率

由于硅材料存在雙光子吸收效應，波導中的光功率不能太大。220nm厚的硅波導功率上限值為300mW (25dBm), 而3um厚的硅波導可承受10W的光功率。目前小豆芽接觸到的硅光系統中，還沒(méi)有涉及到如此高的光功率。

5）可與III-V光芯片集成

由于InP光波導的模斑尺寸與3um厚硅波導尺寸接近，因而它們兩者可以直接進(jìn)行耦合，不需要設計額外的taper結構。

Rockley還列出了一些他們的主要光器件：

1）Euler bend

由于波導尺寸較大，對應的波導彎曲半徑較大。為了進(jìn)一步減小彎曲半徑，他們設計了Euler型的彎曲波導，對應的彎曲半徑為86um。在Euler型彎曲波導中，曲率半徑時(shí)漸變的，而不像傳統的圓弧型彎曲波導，存在曲率半徑的突變。對于90度的Euler彎曲波導，TE模的損耗為0.018dB, TM模的損耗為0.01dB

2）edge coupler

采用h=w=13um的波導作為端面耦合器，與單模光纖進(jìn)行耦合。通過(guò)taper結構，將光場(chǎng)逐漸轉移到3um厚的硅波導中，結構如下圖所示，

（圖片來(lái)自文獻1）

該結構的理論耦合損耗值為0.15dB, 實(shí)驗值為1.1dB左右。

3）AWG

采用Euler bend和1.5um寬的波導，Rockley展示了4通道和16通道AWG的結構圖和測試結果，其插損都小于3dB, 串擾小于-25dB。兩種類(lèi)型的AWG波長(cháng)間隔分別為400GHz和100GHz。4通道AWG的尺寸為0.7mm*2.2mm, 16通道的AWG尺寸為2mm*6mm。而220nm厚的硅波導工藝下，AWG的尺寸為幾百微米。從尺寸的角度來(lái)看，基于3um厚硅的AWG尺寸大了很多倍，其優(yōu)勢在于中心波長(cháng)漂移非常小，只有0.1nm。

（圖片來(lái)自文獻1）

4）hybrid III-V laser/modulator

通過(guò)flip-chip的方式，將III-V激光器與硅光芯片直接耦合，如下圖所示，

（圖片來(lái)自文獻1）

3um厚的硅光波導，無(wú)法通過(guò)設計硅的PN結結構，形成硅調制器。Rockley的方案是將III-V的電吸收調制器，通過(guò)flip-chip的方式，集成到硅光芯片上。III-V的電吸收調制器可以實(shí)現100Gb/s的PAM-4調制速率。

5）Ge探測器

Rockley在3um的硅上，進(jìn)一步生長(cháng)3um厚的鍺，形成探測器，其帶寬可以達到40GHz, C波段的響應率為1A/W, O波段的響應率為0.85A/W，測試結果如下圖所示，

另外，Rockley和蘇州亨通光電合作，成立了亨通洛克利公司，致力于100G硅光模塊產(chǎn)品的研發(fā)。

參考文獻：
A. J. Zilkie, et.al., "Multi-micron silicon photonics platform for highly manufacturable and versatile photonic integrated circuits", IEEE Journal of Selected Topic in Quantum Electronics (2019)