三安光電333億推動(dòng)七大項目研發(fā)制造 涵蓋光通訊芯片

  Iccsz訊 12月8日報道，三安光電股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)三安光電）5日發(fā)布《投資合作協(xié)議》公告，公司將在福建省泉州芯谷南安園區投資成立一個(gè)或若干項目公司，投資涵蓋芯片、器件和材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

  公告指出，三安光電董事會(huì )通過(guò)的《投資合作協(xié)議》，投資總額達333億元，覆蓋七大產(chǎn)業(yè)化項目，包括：  

  1、高端氮化鎵 LED 襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  2、高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  3、大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  4、光通訊芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  5、射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  6、功率型半導體(電力電子)的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  7、特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目

  以上項目要求五年內實(shí)現投產(chǎn)，七年內全部實(shí)現達產(chǎn)，本次投資合作協(xié)議事項尚待三安光電股東大會(huì )審議批準，并根據有關(guān)規定，履行內部審議程序及信息披露義務(wù)。

  專(zhuān)注于制造優(yōu)秀的國產(chǎn)芯片

  三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發(fā)與應用，著(zhù)重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及到外延、芯片核心主業(yè)，努力打造具有國際競爭力的半導體廠(chǎng)商。2016年，三安光電全年營(yíng)收62.7億元，同比增長(cháng)29.11%，而2017年前三季度營(yíng)收累計達62.8億元，同比增長(cháng)40%，已經(jīng)超過(guò)2016年業(yè)績(jì);前三季度凈利潤23.77億元，同比增長(cháng)58.96%。

  三安光電以L(fǎng)ED為主業(yè)，但其光通訊事業(yè)投入逐漸增強，2016年3月公司全資子公司廈門(mén)市三安集成電路有限公司擬以2.66億美元收購環(huán)宇通訊半導體控股股份有限公司(GCS),以獲得GCS射頻和光通訊元件技術(shù)水平和專(zhuān)利平臺，以及先進(jìn)的國際管理經(jīng)驗。

      盡管GCS收購案最后被否，但三安光電在光通訊領(lǐng)域依然會(huì )堅持研發(fā)投入，這次投資也再次涉及光通訊產(chǎn)品的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化。

  本次投資屬于國家著(zhù)力打造的新興戰略性產(chǎn)業(yè)，具有節能環(huán)保等特點(diǎn)。符合三安光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰略，目的是把主業(yè)做大做強做精，可充分發(fā)揮公司產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應，豐富公司產(chǎn)品類(lèi)別，大力提升公司產(chǎn)品附加值，延伸公司產(chǎn)業(yè)鏈，有利于進(jìn)一步擴大公司產(chǎn)能，鞏固公司行業(yè)地位，繼續提升市場(chǎng)占有率，開(kāi)拓新的應用領(lǐng)域，打造具有全球影響力的化合物半導體企業(yè)。