三安集成：第三代HBT面世 加速推進(jìn)5G時(shí)代

  ICC訊  10月14日，三安集成連續第四次參加電子設計創(chuàng )新大會(huì )(EDICON)，與通訊行業(yè)同仁共同探討行業(yè)熱門(mén)話(huà)題。本次展會(huì )，三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工藝，為客戶(hù)呈現兩場(chǎng)技術(shù)交流分享會(huì )。

  三安集成在砷化鎵射頻芯片制造工藝領(lǐng)域持續投入，不斷提高工藝水平，第三代HBT工藝可以應用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客戶(hù)在高頻段消費類(lèi)通訊的應用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實(shí)現量產(chǎn)，可以為客戶(hù)提供世界一流的生產(chǎn)能力和性能水平。在展會(huì )期間，砷化鎵射頻事業(yè)部的林義書(shū)處長(cháng)就5G應用市場(chǎng)闡述三安集成的服務(wù)能力。

  為配合客戶(hù)在射頻前端模組的設計需求，三安集成也在積極建設濾波器產(chǎn)業(yè)鏈，于日本成立研發(fā)中心，匯集國際尖端科研智慧，及時(shí)響應市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，為客戶(hù)提供最新的技術(shù)成果;三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的濾波器供應鏈，垂直整合了研發(fā)設計，襯底材料，芯片制造和封裝測試等環(huán)節，確保穩定持續的產(chǎn)能供應，預計到2021年第二季度，產(chǎn)能可以達到120Mu/月。濾波器事業(yè)部的謝祥政經(jīng)理也就表面聲波濾波器仿真的相關(guān)議題進(jìn)行了分享。

  三安以近20年的化合物半導體制造經(jīng)驗，專(zhuān)業(yè)的設計支持團隊，以及豐沛的產(chǎn)能，為微波射頻、功率電子以及光技術(shù)領(lǐng)域的客戶(hù)提供標準化及客制化的生產(chǎn)服務(wù)。