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第二屆50G PON產(chǎn)業(yè)論壇成功舉辦 小型化光器件創(chuàng )新助推50G PON產(chǎn)業(yè)實(shí)踐

摘要:50G PON經(jīng)過(guò)三大運營(yíng)商、電信設備商、光模塊和光器件以及光電芯片廠(chǎng)商的協(xié)同推進(jìn),產(chǎn)業(yè)標準獲得了實(shí)質(zhì)性的發(fā)展。在產(chǎn)業(yè)技術(shù)標準、小型化光模塊、50G高速率、低成本的光電芯片方面皆取得了重大的產(chǎn)業(yè)突破,推動(dòng)50G PON加速從實(shí)驗室向規模商用發(fā)展。

  ICC訊 5月15日,在2025武漢光博會(huì )第二天,ICC訊石聯(lián)合意桐光電舉辦第二屆50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇,聚焦50G PON和FTTR產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)的標準化,以及中國下一代PON產(chǎn)業(yè)試點(diǎn)發(fā)展情況。來(lái)自中國電信、中國聯(lián)通、中國信通院、烽火通信、欣諾通信、索爾思光電、源杰科技、四川光恒通信、西安交通大學(xué)和ICC訊石分析師專(zhuān)家分享了關(guān)于50G PON技術(shù)的最新產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。

  中國信通院程強表示,50G PON是萬(wàn)兆網(wǎng)絡(luò )的關(guān)鍵技術(shù),重點(diǎn)住宅場(chǎng)景和企業(yè)場(chǎng)景的上下行鏈路容量增長(cháng),復用現有ODN基礎設施,推動(dòng)GPON/XG(S)-PON/50G PON三代共存,以及優(yōu)化延遲和提高可靠性。中國產(chǎn)業(yè)界在50G PON PMD和TC層標準發(fā)布后,開(kāi)始密集進(jìn)行相關(guān)驗證和試點(diǎn),對三代PON共存能力,Class B+/Class C+光鏈路預算能力,小型化光模塊等影響現網(wǎng)部署進(jìn)行了測試驗證,推動(dòng)50G PON技術(shù)產(chǎn)品成熟。

  烽火通信技術(shù)專(zhuān)家王志軍表示,國內外產(chǎn)業(yè)界推動(dòng)了50G PON標準逐步成熟,目前已經(jīng)具備加速推進(jìn)50 PON試驗部署的條件,為進(jìn)一步商用鋪開(kāi)道路。烽火通信推出了全新AN6000T萬(wàn)兆平臺,支持50G PON和超100G PON的平滑演進(jìn)。烽火通信在50G PON應用上還實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的小型化光模塊,采用高集成度BOSA器件和高隔離度Z-Block分光設計和高性能自研DSP算法。

  四川光恒通信業(yè)務(wù)發(fā)展總監郭江濤表示, 50G PON部署需要兼容1G/10G/50G三代PON業(yè)務(wù)的OLT產(chǎn)品,需要小型化封裝來(lái)與現網(wǎng)主流16口線(xiàn)卡匹配,解決機房空間不足的難題。通過(guò)內置MPM合分波組件和高隔離度設計,可以有效解決多代技術(shù)共存時(shí)的信號干擾問(wèn)題,支持三模共存。同時(shí),通過(guò)優(yōu)化光器件和光模塊設計實(shí)現的小型化SFP-DD光模塊,其內部采用6*TO封裝組件,可以復用10G COMBO OLT設備產(chǎn)線(xiàn),減少新一輪投資。50G PON已經(jīng)通過(guò)實(shí)驗室級測試并朝產(chǎn)業(yè)化穩步推進(jìn)。

  西安交通大學(xué)教授李丹表示,針對50G PON對高速電芯片TIA(跨阻放大器)需求,科研團隊展示了首個(gè)CMOS 50G PON突發(fā)模式(Burst mode)TIA創(chuàng )新,實(shí)現在50Gbaud波特率上7pA/?Hz 的低噪聲,模擬前端宗14.7ns的快速建立時(shí)間并兼容后級連續放大器。整體上,李丹團隊成功推出基于CMOS工藝的用于50G PON的模擬前端整體的低成本方案。

  中國電信高級專(zhuān)家金嘉亮表示,50G PON延續時(shí)分復用架構,系統容量提升5倍,支持傳統IEEE和ITU-T兩大標準體系共存演進(jìn)。目前GPON體系的50G PON三代共存演進(jìn)方案和標準已經(jīng)確定,但是EPON體系50G PON演進(jìn)還需要進(jìn)一步探討。EPON體系升級主要問(wèn)題是IEEE EPON標準中上行波長(cháng)1260-1360nm(100nm間隔)與ITU-T 50G PON上下行波長(cháng)重疊。在EPON區域,波分方案產(chǎn)業(yè)已具備非對稱(chēng)能力,可在近期實(shí)施,而規模部署階段則需要綜合評估時(shí)分/波分方案,事實(shí)上多模光模塊(MPM)方案可支持時(shí)分/波分方案。

  欣諾通信研發(fā)副總吳志遠表示,針對非城區OLT部署面臨用戶(hù)分散、光纖直驅造價(jià)高、OLT運維困難以及覆蓋困難的痛點(diǎn)。采用PON放大器方案更適用于農村全覆蓋、整治弱光、長(cháng)距離覆蓋的場(chǎng)景,其優(yōu)點(diǎn)是可解決大部分弱光問(wèn)題成本低、利用率高、即插即用、帶旁路/網(wǎng)管、維護/安裝便捷等。欣諾通信全系列PON解決方案可以滿(mǎn)足OLT覆蓋低中高密度所有應用接入場(chǎng)景,提供PON放大和延伸方案可解決長(cháng)距離光功率預算不足應用場(chǎng)景,PON over OTN可解決光纖資源不足的場(chǎng)景。

  索爾思光電PON BU總經(jīng)理胡云表示,基于自研50G 1342nm EML+SOA芯片,索爾思光電全面小型化封裝SFP-DD單模、雙模和三模的50G OLT低功耗工溫和商溫方案。此外,基于自研的25G 1286nm DML和50G APD芯片可以提供SFP-DD/SFP56 50G ONU低功耗工溫方案。50G非對此OLT和ONU預計在2025年第二季度和第三季度實(shí)現量產(chǎn),而50G對稱(chēng)OLT和ONU需要產(chǎn)業(yè)鏈繼續系統解決關(guān)鍵電芯片的瓶頸以推動(dòng)量產(chǎn)。

  源杰科技銷(xiāo)售副總白英會(huì )表示,50G PON對于激光器芯片的技術(shù)需求,主要有OLT端1342nm EML+SOA(C+)、1342nm EML+SOA(D)以及ONU端1286nm EML+SOA三種激光器型號。伴隨著(zhù)50G PON持續演進(jìn),產(chǎn)業(yè)界將需要具備可靠性、可批量性、競爭性強、安全性和先進(jìn)性特點(diǎn)的50G激光器芯片。至于集成SOA給激光器芯片帶來(lái)的成本問(wèn)題,則需要從芯片在整體BOM成本占比經(jīng)過(guò)綜合考慮而判斷,源杰科技相信集成SOA的50G EML激光器將給客戶(hù)提供兼顧性能與成本的平衡選擇。

  ICC訊石高級分析師吳娜表示,50G PON在國際(ITU-T)與中國(CCSA)的推動(dòng)下,已基本完成50G PON標準制定,國內三模光模塊標準及產(chǎn)業(yè)化正在推進(jìn),其中非對稱(chēng)方案成熟,對稱(chēng)方案仍在發(fā)展中。同時(shí),50G PON將支撐2025-2035年需求,并配合中國 “雙萬(wàn)兆戰略”加速商用。預測未來(lái)三年50G PON進(jìn)入規模部署,中國將繼續主導全球絕大部分PON市場(chǎng)。

  如今,50G PON經(jīng)過(guò)三大運營(yíng)商、電信設備商、光模塊和光器件以及光電芯片廠(chǎng)商的協(xié)同推進(jìn),產(chǎn)業(yè)標準獲得了實(shí)質(zhì)性的發(fā)展。2025年1月,中國工信部啟動(dòng)了50G PON在全國方位168個(gè)試點(diǎn)項目,這將推動(dòng)50G PON加速從實(shí)驗室向規模商用發(fā)展。

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