意法跨過(guò)8吋碳化硅晶圓量產(chǎn)里程碑

  ICC訊 意法半導體(STMicroelectronics，ST)宣布，該公司位于瑞典N(xiāo)orrk?ping的工廠(chǎng)制造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子晶片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著(zhù)ST針對汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的擴產(chǎn)計畫(huà)獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開(kāi)創(chuàng )性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，且提升了功率電子晶片的輕量化和效能，降低客戶(hù)獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。

  意法半導體首批8吋SiC晶圓品質(zhì)十分優(yōu)良，對于晶片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。其低缺陷率歸功于意法半導體碳化矽公司(前身為Norstel，2019年被ST收購)在SiC矽錠生長(cháng)技術(shù)深厚積累的研發(fā)技術(shù)。除了晶圓能滿(mǎn)足嚴格的品質(zhì)標準之外，升級到8吋SiC晶圓還需要對制造設備和支援生態(tài)系統的升級。意法半導體正在與供應鏈上下游技術(shù)廠(chǎng)商合作研發(fā)專(zhuān)屬的制造設備和生產(chǎn)制程。

  意法半導體先進(jìn)的量產(chǎn)碳化矽STPOWER SiC目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠(chǎng)完成前段制程制造，后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠(chǎng)進(jìn)行。這個(gè)階段性的成功是意法半導體布局更先進(jìn)的、高成本效益之8吋SiC量產(chǎn)計畫(huà)的一部分。到2024年，升級到8吋SiC晶圓屬于公司正在執行之新建碳化矽基板廠(chǎng)和內部采購碳化矽基板比重超過(guò)40%的計畫(huà)。

  意法半導體汽車(chē)和離散元件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示，汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)正在加速推動(dòng)系統和產(chǎn)品電氣化的進(jìn)程，升級到8吋SiC晶圓將為我們的汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)帶來(lái)巨大優(yōu)勢。隨著(zhù)擴大產(chǎn)能，提升規模經(jīng)濟效益至關(guān)重要。在覆蓋整個(gè)制造鏈的內部SiC生態(tài)系統領(lǐng)域累積之深厚的專(zhuān)業(yè)知識，可提升我們的制造彈性，還能更有效地控制晶圓良率和改善品質(zhì)。

  碳化矽是一種化合物半導體材料，在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)制造過(guò)程等重要的高成長(cháng)之功率應用領(lǐng)域，相較于與矽材料，碳化矽可提供更高的性能和效能。ST在SiC領(lǐng)域的領(lǐng)導地位歸功于25年的專(zhuān)注和研發(fā)投入，其擁有70多項專(zhuān)利。這項顛覆性技術(shù)可達到更高效的電力轉換，更小且更輕量化的設計，同時(shí)節省更多系統設計的整體成本，這些都是決定車(chē)用和工業(yè)系統成功的關(guān)鍵參數和因素。相較于6吋晶圓，8吋晶圓更可以增加產(chǎn)能，將制造積體電路可用面積擴大近一倍，合格晶片產(chǎn)能則為6吋晶圓的1.8~1.9 倍。