我國自主研發(fā)出5G微基站射頻芯片

      ICCSZ訊 科技日報記者3日從南京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區獲悉，我國首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601，在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功，目前正在進(jìn)行封裝測試。

  5G基站分為宏基站和微基站兩種。宏基站主要用于室外覆蓋，5G微基站主要用于室內，發(fā)射功率較?。ㄒ话?00毫瓦以?xún)龋?，廣泛用于機場(chǎng)高鐵等候區域、商業(yè)場(chǎng)所、學(xué)校醫院、園區工廠(chǎng)和社區家庭等場(chǎng)景。5G微基站可以以較低成本有效解決室內覆蓋區域的容量（如機場(chǎng)、高鐵和商場(chǎng)等熱點(diǎn)區域）和覆蓋問(wèn)題（如商業(yè)樓宇和家庭）。

  “5G微基站射頻芯片項目是我們自主研發(fā)的有線(xiàn)射頻寬帶芯片組的拓展?！眹姨仄笇?zhuān)家、美國麻省理工學(xué)院博士王俊峰介紹說(shuō)，在推出5G微基站射頻芯片之前，公司通過(guò)研發(fā)有線(xiàn)射頻寬帶HiNOC2.0芯片，擁有了長(cháng)期的射頻芯片技術(shù)積累。

  據悉，HiNOC2.0是我國下一代有線(xiàn)射頻寬帶廣電接入標準，南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現600兆每秒的下行速率，完全可與國際巨頭的同類(lèi)產(chǎn)品對標。在中國廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標準測試中，搭載這組芯片的設備在85dB的線(xiàn)路衰耗下仍可接入，相比對標的國際巨頭同類(lèi)產(chǎn)品，抗衰減能力提升了10dB左右，這使其更能適應國內復雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò )環(huán)境。2019年4月，中國工程院院士倪光南領(lǐng)銜的專(zhuān)家組對HiNOC2.0芯片組進(jìn)行技術(shù)鑒定，認定該芯片組在系統性能上達到了國際同類(lèi)產(chǎn)品的先進(jìn)水平，而其中射頻芯片部分性能優(yōu)于國際同類(lèi)產(chǎn)品。

  王俊峰介紹，YD9601不光覆蓋700MHz廣電頻段，也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3—3.4GHz的電信/聯(lián)通/廣電共享室內頻段，可以說(shuō)是為5G時(shí)代室內共享微基站量身定做的芯片。