ICC訊 據濟南日報報道,1月27日,富能功率半導體8英寸項目一期實(shí)現產(chǎn)品下線(xiàn),標志著(zhù)山東首條芯片加工制造線(xiàn)進(jìn)入實(shí)際生產(chǎn)階段,補齊了山東省集成電路產(chǎn)業(yè)的短板。
富能功率半導體項目規劃總占地面積630畝,共分三期建設,據了解,富能功率半導體項目生產(chǎn)的各類(lèi)晶體管產(chǎn)品,可廣泛應用于消費電子、新能源裝備和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。根據此前的資料,富能功率半導體項目是濟南市2020年重點(diǎn)項目名單,項目規劃建設月產(chǎn)10萬(wàn)片的兩座8英寸廠(chǎng)及一座月產(chǎn)5萬(wàn)片的12英寸廠(chǎng),第一期投入60億元。
本次投產(chǎn)的8英寸廠(chǎng)為項目一期,2019年開(kāi)工建設,2020年12月底首條產(chǎn)線(xiàn)建設完畢。項目第一期一階段投產(chǎn)后將有望達到年產(chǎn)36萬(wàn)片8英寸硅基功率器件(MOSFET Super Junction IGBT)和1萬(wàn)片6寸碳化硅功率器件(SIC MOSFET)的生產(chǎn)能力。
濟南日報指出,這將顯著(zhù)提升濟南芯片制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)力,為“工業(yè)強市”戰略注入強勁動(dòng)力的同時(shí),還將打破國外壟斷,實(shí)現國產(chǎn)芯片的有效替代。
資料顯示,濟南富能半導體有限公司成立于2018年11月,是一家致力于深耕半導體產(chǎn)業(yè)的IDM公司,專(zhuān)注半導體能源器件、芯片及模組產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。濟南網(wǎng)2020年6月曾報道,未來(lái)五年,富能將從高端硅和碳化硅等產(chǎn)品切入市場(chǎng),有效實(shí)現進(jìn)口替代,五年后年營(yíng)業(yè)額達100億人民幣,力爭在10年內達到國際一流半導體生產(chǎn)企業(yè)水平。