十大科技成果揭幕，光迅參與兩項

  ICC訊 12月11日，2022中國信息通信大會(huì )在成都召開(kāi)，工信部領(lǐng)導、中國科協(xié)領(lǐng)導、四川省領(lǐng)導、兩院院士、學(xué)者、專(zhuān)家及企業(yè)家代表等出席，大會(huì )以“科技引領(lǐng)創(chuàng )新、5G賦能中國”為主題，圍繞5G/6G、量子通信、區塊鏈、國防通信等前沿技術(shù)展開(kāi)交流。會(huì )上，中國通信學(xué)會(huì )“2021年中國信息通信領(lǐng)域重大科技進(jìn)展”評選結果(全國共十項)揭曉，光迅科技參與的《16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里標準單模光纖傳輸系統實(shí)驗》和《1.6Tb/s硅光互連芯片》兩個(gè)項目成功入選。

  國內首次

  16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里標準單模光纖傳輸系統實(shí)驗

  該實(shí)驗由中國信科集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò )國家重點(diǎn)實(shí)驗室聯(lián)合鵬城實(shí)驗室、國家信息光電子創(chuàng )新中心、烽火通信和光迅科技等單位共同完成。實(shí)驗基于合作單位自主研制的超低損耗、超大有效面積光纖、低噪聲拉曼光放大器件以及硅基集成相干收發(fā)器等關(guān)鍵器件和模塊，采用新型數字預均衡技術(shù)結合Nyquist整形技術(shù)及自適應、可編程的光域信道均衡算法，完成了80×200Gbit/s DWDM Nyquist整形DP-QPSK光信號10000公里標準單模光纖傳輸系統實(shí)驗。

  ▲系統實(shí)驗配置圖與實(shí)物圖

  該實(shí)驗是國內首個(gè)傳輸容量超10Tbit/s、傳輸距離達到10000公里的光纖傳輸系統實(shí)驗，實(shí)驗系統的成功標志著(zhù)我國在超長(cháng)距離、超大容量光纖傳輸技術(shù)領(lǐng)域取得了一次重要突破，將對我國跨洋和洲際光纖通信產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生重大推動(dòng)作用。

  1.6Tb/s硅光互連芯片

  該成果由國家信息光電子創(chuàng )新中心、光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò )國家重點(diǎn)實(shí)驗室、光迅科技聯(lián)合鵬城實(shí)驗室共同研發(fā)，旨在破解網(wǎng)絡(luò )通信設備中數據帶寬和功耗互相制約的難題，通過(guò)光電融合大幅度提升數據傳輸的容量和能效比、系統性地突破Tb/s硅光收發(fā)芯片關(guān)鍵技術(shù)，滿(mǎn)足全球數據流量呈指數級爆發(fā)式增長(cháng)的需求。在理論技術(shù)方面，聯(lián)合研發(fā)團隊系統性地掌握了光電協(xié)同硅光調制器和異質(zhì)鍺硅波導探測器關(guān)鍵技術(shù)，將硅光有源器件帶寬提升至80GHz以上;攻克了多種硅光器件的制備工藝和兼容性問(wèn)題，開(kāi)發(fā)出高頻高密度封裝和先進(jìn)光子鏈路均衡方法，在國際上首次完成了單片8×200Gb/s硅基光互連芯片的功能驗證。該芯片的通道速率和單片互連容量較現有商用硅光芯片分別提升2倍，實(shí)現我國光互連芯片向Tb/s級的首次跨越。

  ▲1.6Tb/s 硅基光互連芯片架構和實(shí)測結果

  此芯片傳輸容量不僅刷新了國內此前光互連芯片速率和密度的最好水平(即“目前公開(kāi)報道中國際最高指標”)，還展現出硅光技術(shù)的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優(yōu)勢，為我國硅光技術(shù)方向描繪出高水平自立自強的光明前景。該技術(shù)成果也有效地支撐我國超高速(400Gb/s、800Gb/s、1.6Tb/s)光通信芯片產(chǎn)品的實(shí)現，將有力保障“東數西算”等重大工程順利實(shí)施，為數據中心海量數據的高速、高效、高可靠性傳輸方案提供技術(shù)指引和解決方案。

  中國信息通信領(lǐng)域重大科技進(jìn)展評選發(fā)布，旨在把握信息通信領(lǐng)域前沿動(dòng)態(tài)，促進(jìn)我國信息通信科技創(chuàng )新，鼓勵廣大科學(xué)家和科技工作者不斷向科學(xué)技術(shù)廣度和深度進(jìn)軍。未來(lái)，光迅科技將繼續瞄準國際研發(fā)先進(jìn)水平和國際商用最高水平，集中優(yōu)勢科研資源和創(chuàng )新力量，持續增強自主創(chuàng )新能力，努力成為國內領(lǐng)先、國際一流光通信企業(yè)。