臺積電突破2nm芯片技術(shù)

  ICC訊 近日，據臺灣相關(guān)媒體報道，臺積電2nm芯片技術(shù)研發(fā)已取得重大突破，找到了實(shí)現的路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，GAA)。按照臺積電的計劃，其2nm制程芯片將在2023年-2024年間推出。

  臺積電3nm制程芯片預計明年上半年在南科18廠(chǎng)P4廠(chǎng)試產(chǎn)，并將于2022年量產(chǎn)。臺積電今年4月曾表示，3nm制程芯片仍會(huì )沿用FinFET(鰭式場(chǎng)效應晶體管)技術(shù)，主要考慮是客戶(hù)在導入5nm制程后，采用同樣的設計即可導入3nm制程，可以持續帶給客戶(hù)有成本競爭力、效能表現佳的產(chǎn)品。

  據悉，臺積電的競爭對手三星已決定在3nm技術(shù)領(lǐng)域率先導入GAA 技術(shù)，并宣稱(chēng)到2030年超過(guò)臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位。臺積電在2nm技術(shù)研發(fā)上取得突破，再次獲得對三星的相對領(lǐng)先優(yōu)勢。