臺積電將在美國再建一座3nm晶圓廠(chǎng)！

  ICC訊  8月20日消息，據報道，臺積電近期傳出將展開(kāi)評估在美投資興建第二座晶圓廠(chǎng)，擬切入3納米制程，建廠(chǎng)時(shí)程約2年后。對此，臺積電8月19日表示，不回應市場(chǎng)傳聞。

  此前，臺積電美國亞利桑那州 5 納米新廠(chǎng)，已于7月底上梁，預計一期于2024年量產(chǎn)，第一期月產(chǎn)能2萬(wàn)片。

  不過(guò)，由于臺積電亞利桑那州廠(chǎng)土地面積廣大，占地約445公頃，先前就多次傳出，臺積電將擴大亞利桑那州投資計劃，預計建6座晶圓廠(chǎng)。

  臺積電總裁魏哲家去年也曾說(shuō)，臺積電已在亞利桑那州取得大范圍土地，以維持彈性，進(jìn)一步擴建是有可能的，但首要任務(wù)是使第一期廠(chǎng)房順利量產(chǎn)，接著(zhù)根據營(yíng)運效率、成本效益，及客戶(hù)需求來(lái)決定下一步計劃。

  據了解，臺積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結構，而三星的3nm節點(diǎn)采用GAA晶體管架構。三星甚至領(lǐng)先于臺積電，將3nm工藝技術(shù)轉向量產(chǎn)。

  消息人士指出，AMD、蘋(píng)果、博通、英特爾、聯(lián)發(fā)科、英偉達和高通等廠(chǎng)商均已向臺積電下達3nm芯片訂單。但三星的3nm GAA工藝尚未吸引主要芯片供應商的訂單。