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中科院物理所發(fā)布拓撲腔面發(fā)射激光器(TCSEL)

摘要:中國科學(xué)院物理研究所將原創(chuàng )的拓撲光腔應用于面發(fā)射半導體激光器中,研制出了拓撲腔面發(fā)射激光器(topological-cavity surface-emitting laser: TCSEL)

  半導體激光器體積最小、效率最高、波長(cháng)最廣,價(jià)格最低,是各類(lèi)應用場(chǎng)景之首選,但出射功率低和光束質(zhì)量差是其最大的瓶頸,難點(diǎn)更在于這兩個(gè)指標一般無(wú)法同時(shí)提高:雖然增大器件尺寸可以提高激光功率,但是大器件中的多模激射會(huì )降低光束質(zhì)量。之前,中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心光物理重點(diǎn)實(shí)驗室L01組陸凌團隊,提出了一種“狄拉克渦旋”拓撲光腔,是已知大面積單模性最好的光腔設計,可以從原理上突破現有瓶頸,同時(shí)提高出射功率和光束質(zhì)量。


  最近,他們將原創(chuàng )的拓撲光腔應用于面發(fā)射半導體激光器中,研制出了拓撲腔面發(fā)射激光器(topological-cavity surface-emitting laser: TCSEL), 得到了遠超同類(lèi)商用產(chǎn)品的指標和性能(見(jiàn)圖一中的比較)。在1550nm這一最重要的通信和人眼安全波段,同時(shí)實(shí)現了單個(gè)器件10W峰值功率、小于1°的遠場(chǎng)發(fā)散角、60dB邊模抑制比,和二維多波長(cháng)陣列的集成能力。相關(guān)研究成果以“Topological-cavity surface-emitting laser”為題于2022年03月18日在線(xiàn)發(fā)表在Nature Photonics雜志網(wǎng)站上,TCSEL的發(fā)明對于人臉識別、自動(dòng)駕駛、虛擬現實(shí)所需的三維感知和激光雷達等新興技術(shù)有重要意義。


圖1. TCSEL與現有商用單模激光器的對比:一維中,邊發(fā)射的相移分布反饋激光器(DFB)和垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)均采用帶間模式穩定激射; 

 在二維中,拓撲光腔面發(fā)射激光器(TCSEL)可以大面積單模工作,與一維相比可以提供更高的發(fā)射功率,更窄的光束發(fā)散角,和多波長(cháng)二維陣列等優(yōu)勢。

  通過(guò)分析主流單模半導體激光器的設計我們發(fā)現(圖一),用于互聯(lián)網(wǎng)通信的分布式反饋邊發(fā)射激光器(distributed Feedback: DFB)和用于手機人臉識別的垂直腔面發(fā)射激光器(vertical-cavity surface-emitting lasers: VCSEL),在其最優(yōu)化的諧振腔設計中均采用了一維周期結構中帶間拓撲缺陷模式來(lái)實(shí)現穩定單模工作。而TCSEL正是延續和推廣了這樣的成功路線(xiàn),實(shí)現了與半導體芯片平面工藝最匹配的二維版本。

圖2. TCSEL性能:左側圖為激光器輸入輸出的功率,插圖為激光器的遠場(chǎng)照片、顯微鏡圖、掃描電子顯微鏡圖;右側圖為多波長(cháng)陣列特性。

  大面積單模是TCSEL的一個(gè)獨特優(yōu)勢, 這同時(shí)提高了出射功率和光束質(zhì)量:面發(fā)射峰值功率大于10 W,光束發(fā)散角小于1°(圖2左)。相比之下,商用DFB的輸出一般為數十mW的量級,單個(gè)VCSEL的輸出為幾mW,面發(fā)射的典型發(fā)散角為20°,邊發(fā)射器件的光束質(zhì)量通常更差。圖2左插圖為直徑500μm器件的顯微鏡照片和掃描電子顯微鏡照片,可以清楚的看到器件標志性的渦旋結構,TCSEL的遠場(chǎng)為徑向偏振分布的矢量光束。TCSEL的高功率和低發(fā)散角優(yōu)勢可以增加三維傳感的距離,減少光學(xué)系統的尺寸、復雜性和成本。

  波長(cháng)靈活性是TCSEL的另一個(gè)獨特優(yōu)勢,比如可以實(shí)現二維多波長(cháng)面陣。VCSEL的垂直腔是在外延生長(cháng)過(guò)程中形成的,不但激光波長(cháng)受到材料生長(cháng)的嚴重制約,而且其陣列在同片晶元上缺乏波長(cháng)可調性。而DFB雖然可以調節波長(cháng),但是由于邊發(fā)射的裂片制造工藝約束,只能實(shí)現一維多波長(cháng)整列。相比之下,TCSEL的波長(cháng)可以在平面加工過(guò)程中任意調節,圖2(右)中通過(guò)改變晶格常數,相應的激光波長(cháng)從1512nm到1616nm線(xiàn)性變化,二維陣列都穩定單模工作,邊模抑制比均大于50dB。這種多波長(cháng)TCSEL二維陣列可以潛在地提高波分復用技術(shù)的功率、帶寬和集成度,可以應用于高容量信號傳輸和多光譜激光傳感等眾多應用領(lǐng)域。

  拓撲物理自量子霍爾效應發(fā)現以來(lái)一直是基礎研究領(lǐng)域的焦點(diǎn),獲得了多個(gè)諾貝爾物理獎(1985,1998,2016)。雖然拓撲魯棒性在理論上可以顯著(zhù)提高器件的穩定性和指標,但至今還沒(méi)有明確的應用出口,TCSEL的發(fā)明有望解決拓撲物理應用的長(cháng)期瓶頸。

  論文的共同第一作者為中科院物理所博士生楊樂(lè )臣和博士后李廣睿,第三作者為博士后高曉梅,通訊作者為陸凌研究員,TCSEL的器件制備在物理所微加工實(shí)驗室完成。該研究工作得到了中國科學(xué)院、科技部、國家自然科學(xué)基金委、和北京市自然科學(xué)基金委的資助。

  論文鏈接: Topological-cavity surface-emitting laser.pdf

內容來(lái)自:中國科學(xué)院物理研究所
本文地址:http://joq5k4q.cn//Site/CN/News/2022/04/04/20220404144828362543.htm 轉載請保留文章出處
關(guān)鍵字: 中科院 拓撲腔面 發(fā)射激光器 TCSEL
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