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光迅科技下一代光接入模塊研究

摘要:面對更為高端的市場(chǎng)需求和不斷演進(jìn)的技術(shù)發(fā)展趨勢,光迅表現出強烈的危機意識和使命感,提前開(kāi)展NGPON模塊技術(shù)研究。目前,光迅NGPON相關(guān)產(chǎn)品已形成批量銷(xiāo)售,銷(xiāo)售額超過(guò)1000萬(wàn)元。

  ICCSZ訊 近年來(lái),光迅科技PON模塊以其優(yōu)良的性能、可靠的品質(zhì),受得客戶(hù)的廣泛認可,在贏(yíng)得市場(chǎng)的同時(shí),為我國乃至全球的FTTx建設提供廣泛而可靠的保障。隨著(zhù)建設的全面開(kāi)展和進(jìn)一步推進(jìn),PON模塊產(chǎn)品出貨量將持續增長(cháng),這讓光迅科技迎來(lái)了收獲的季節。放眼未來(lái),光接入網(wǎng)對帶寬要求將越來(lái)越高,對PON模塊在速率和性能方面的表現也提出了更高的要求。面對更為高端的市場(chǎng)需求和不斷演進(jìn)的技術(shù)發(fā)展趨勢,光迅表現出強烈的危機意識和使命感,提前開(kāi)展NGPON模塊技術(shù)研究。目前,光迅NGPON相關(guān)產(chǎn)品已形成批量銷(xiāo)售,銷(xiāo)售額超過(guò)1000萬(wàn)元。

  技術(shù)演進(jìn)方面,40G TWDM-PON 已經(jīng)確定為下一代PON(Passive Optical Network,光接入網(wǎng))的方案,也即 NG-PON2, 相關(guān)標準有望2015年正式發(fā)布,2016年實(shí)現商用。其優(yōu)勢在于能實(shí)現PON網(wǎng)絡(luò )的平滑升級,同10G PON、GPON、EPON 在同一個(gè)光接入網(wǎng)中共存,而TWDM-PON作為低成本、易實(shí)現的方案,也更容易得到廣泛應用。

  TWDM-PON系統對OLT光器件的基本技術(shù)要求為輸出光功率+5~9dBm (N1),消光比8.2dB,接收靈敏度-26.5dBm(N1),光隔離度55dB(1524~1544nm 對1596-1603nm)。而OLT端器件的需要則決定于OLT的構型,包括分立的XFP模塊和集成的CFP模塊。目前,在OLT器件方面,光迅科技在積極開(kāi)發(fā)1596-1600nm波長(cháng)的10G EML芯片及其XMD封裝技術(shù),探索高輸出光功率的TOSA和BOSA方案。從TWDM-PON系統應用角度,單波長(cháng)的OLT XFP模塊可實(shí)現多波長(cháng)靈活擴展,光迅科技可針對不同客戶(hù)的帶寬需求提供下行4波長(cháng)或8波長(cháng)的模塊組方案。同時(shí),基于成熟的40G CFP封裝平臺,光迅科技的CFP封裝OLT模塊集成有4路TOSA/ROSA,Mux/Demux以及光放大器,為系統商提供更簡(jiǎn)易、數據容量更高的OLT解決方案。

  TWDM-PON系統的ONU模塊通常內含可調TOSA、可調ROSA和C/L-band 濾波器,器件采用BOSA構型,最終形態(tài)為可插拔型。為進(jìn)一步拓展PON系統帶寬和滿(mǎn)足不同客戶(hù)需求,對稱(chēng)速率的10G/10G XFP/SFP模塊和非對稱(chēng)的2.5G/10G XFP/SFP模塊預計會(huì )長(cháng)期共存。因為波長(cháng)調諧功能的引入,BOSA on board的方案需要同設備商進(jìn)行更緊密的技術(shù)合作,而市場(chǎng)上將更多的出現以模塊封裝為主的ONU。

  為將可調激光器技術(shù)應用到PON系統,尤其是成本敏感的ONU端還面臨諸多挑戰。熱調諧方案具有較大的成本優(yōu)勢,但難以滿(mǎn)足同XGPON一樣的工業(yè)溫度要求,而DBR電調諧方案則依賴(lài)于激光器芯片的成熟。通過(guò)TEC(半導體電制冷器)改變EML/DFB芯片溫度調諧波長(cháng)是一個(gè)常見(jiàn)的解決方案,依據系統需求需實(shí)現400GHz(~3.5nm) 可調諧范圍,波長(cháng)在1524-1544nm之間,激光器可采用10G XMD 封裝,速率支持2.49Gbps或9.98 Gb/s??紤]到ONU的環(huán)境溫度和常規TEC的溫控能力,溫度調諧的單波長(cháng)TOSA通常只能支持100GHz頻率間隔4通道可調,而8通道的需求通常采用2個(gè)光模塊來(lái)實(shí)現,兩個(gè)光模塊的中心波長(cháng)不同。而目前可選的電調諧方案中,則有波長(cháng)調諧范圍為10nm的DBR電調諧方案和波長(cháng)調諧范圍為3nm的DFB微加熱調諧方案。

  在可調TOSA的其它性能要求方面,4~7 dBm 的輸出功率要求對芯片在高溫下的光功率和10G EML中由EA調制器引入的損耗提出了苛刻的要求。行之有效的解決方案包括采用高效激光器芯片、管殼封裝的熱補償以及采用集成SOA。

  可調ROSA方面,采用10G APD前端集成可調光濾波器(TOF)的構型是目前關(guān)注較多的方案??烧{ROSA的接收波長(cháng)范圍為1596-1603nm,支持 100GHz頻率間隔的 4-8 波長(cháng)可調,相鄰通道隔離度25dB,非相鄰通道30dB。

  ONU端可調濾波器技術(shù)的選擇取決于系統應用場(chǎng)景??紤]到產(chǎn)品成熟度,MEMS和熱可調F-P濾波器成為目前主流的ROSA端可調濾波器方案。

 

 

MEMS濾波器

熱可調F-P濾波器

優(yōu)勢

工作溫度范圍:40-85℃

1dB 通帶帶寬:0.4nm

相鄰通道隔離度:25dB

通帶中心波長(cháng)不隨環(huán)境溫度變化

光差損:1.5dB

調諧時(shí)間:100ms

小尺寸, 兼容SFP+/XFP模塊封裝

功耗?。?.4W

劣勢

尺寸大, 目前僅支持XFP封裝

功耗:1W

工作溫度范圍受限:-5-75℃

“尖”高斯光譜,1dB 帶寬?。?.2nm

相鄰通道隔離度:20dB 

可調范圍和通帶中心波長(cháng)受環(huán)境溫度影響

光差損:2.5dB(同電壓和調諧范圍有關(guān))

調諧時(shí)間:1s

 

  TWDM-PON將是下一代光接入網(wǎng)的必由之路,而XG-PON系統的部署還處于早期,光迅科技下一代光接入模塊的研究必將對光接入網(wǎng)的演進(jìn)起到強大的推動(dòng)作用。 

內容來(lái)自:訊石光通訊咨詢(xún)網(wǎng)
本文地址:http://joq5k4q.cn//Site/CN/News/2014/08/18/20140818024017298000.htm 轉載請保留文章出處
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