ICCSZ訊 量子通信中有三項核心技術(shù),分別是單光子源技術(shù)、量子編碼和傳輸技術(shù)、單光子檢測技術(shù)。大量研究已經(jīng)證明,使用單光子源的量子通信是絕對安全的,并且具有很高的效率。由此可見(jiàn),理想的單光子源是量子通信的基礎,其特性的研究具有很高的價(jià)值。
基于安全性方面考慮,為了保證在通信過(guò)程中不會(huì )被光子數分束攻擊,理想的單光子源應該嚴格滿(mǎn)足每個(gè)脈沖中僅含有一個(gè)光子。然而,現階段大多數實(shí)驗所用的光源都是經(jīng)過(guò)強烈弱光脈沖衰減得到,其光子數服從泊松分布。這種光源嚴格意義上講是無(wú)法實(shí)現單光子脈沖的,實(shí)際做法是盡量降低每個(gè)脈沖里含有兩個(gè)以上光子的幾率,降低到不會(huì )對安全性產(chǎn)生影響。通信系統中是存在損耗的,即使脈沖中含有兩個(gè)以上的光子也很少帶來(lái)安全隱患,此外由于脈沖大多是不含光子的空脈沖,因此嚴重降低了密鑰分配系統的傳輸效率,同時(shí)也增加了系統的誤碼率。所以高性能單光子源的研究已經(jīng)成為影響量子通信發(fā)展的重要課題之一。
量子點(diǎn)單光子源:使用量子點(diǎn)可以穩定地發(fā)出單個(gè)光子流,每個(gè)光子可由光譜過(guò)濾器分離出來(lái)。與其他單光子源相比,量子點(diǎn)單光子源具有較高的振子強度,較窄的譜線(xiàn)寬度,且不會(huì )發(fā)生光退色。目前的半導體基本上可以覆蓋從可見(jiàn)光到紅外波段。
量子點(diǎn)單光子源的研究一直很活躍。2001年斯坦福大學(xué)的科研人員在GaAs襯底上制造出一層發(fā)光波長(cháng)為877nm的InGaAs量子點(diǎn),通過(guò)激光器發(fā)射把激光發(fā)射到量子點(diǎn)的臺面上。結果表明,在激光脈沖的作用下產(chǎn)生的激子進(jìn)入一個(gè)量子點(diǎn)后,量子點(diǎn)吸收一個(gè)光子后再吸收第二個(gè)光子的可能性大大降低,這使產(chǎn)生反聚束光子流成為可能。Toshiba-Cambridge大學(xué)的歐洲聯(lián)合研究小組在2002年采用量子點(diǎn)結構的LED實(shí)現了電注入單光子發(fā)射。2005年他們成功利用量子點(diǎn)制造出波長(cháng)在1.3μm通信波段的單光子光源。2007年,我國中科院半導體研究所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗室相關(guān)研究人員成功實(shí)現了量子點(diǎn)的單光子發(fā)射:8K溫度下脈沖激光激發(fā)InAs單量子點(diǎn),可以觀(guān)測到932nm的單光子發(fā)射,發(fā)射速率大于10kHz。但是,這一領(lǐng)域仍然有很多難題需要解決,比如尺寸、形狀的均一性控制,光譜的單色控制,以及對低溫的要求等。
納米天線(xiàn)單光子源:基于SPP共振效應的納米天線(xiàn)結構可以有效收集光能量,并將其限制在亞波長(cháng)尺度,其巨大的局域場(chǎng)增強效應為納米光子學(xué)提供了廣闊的應用前景。
目前,每個(gè)脈沖產(chǎn)生一個(gè)光子的器件已經(jīng)研制成功,問(wèn)題是怎樣將產(chǎn)生的光子沿某一特定的方向高效率地發(fā)射出去。光子晶體、介質(zhì)球、光學(xué)微腔結構、金屬表面等都可以改變光場(chǎng)方向,而共振光學(xué)天線(xiàn)對光場(chǎng)的改變更為局限化。它可以將入射光場(chǎng)有效限制在亞波長(cháng)區域,也可使納米尺度的小顆粒輻射強度顯著(zhù)增強,同時(shí)改變輻射方向。實(shí)驗證明,天線(xiàn)的等離子模式調到附近分子電子躍遷的頻率附近時(shí)會(huì )產(chǎn)生共振,發(fā)光分子與天線(xiàn)產(chǎn)生足夠強的耦合,這樣就可以控制發(fā)光方向。Van Hulst小組將長(cháng)為80nm的鋁制單耦天線(xiàn)接近一個(gè)熒光分子,通過(guò)改變天線(xiàn)與光的耦合方式,分子發(fā)出的光可以被調整90°。R.Esteban小組于2009年介紹了一種金屬等離子電線(xiàn)產(chǎn)生單光子激發(fā)的方案,該方案是在等離子腔中利用金屬光學(xué)共振原理和避雷針尖端放電理論提出的,并且給出了數值模擬結果。隨著(zhù)表面等離子體的發(fā)展,納米天線(xiàn)單光子源一定會(huì )從理論走向應用。