三星3nm工廠(chǎng)即將動(dòng)工！

  ICC訊  三星的晶圓代工部門(mén)最近負面不斷，此前有消息稱(chēng)部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以致于高通這樣的VIP客戶(hù)都要出走，重新使用臺積電生產(chǎn)驍龍8處理器。

  不過(guò)從技術(shù)上來(lái)說(shuō)，三星現在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠(chǎng)，雖然在7nm、5nm及4nm節點(diǎn)上落后了一些，但在接下來(lái)的3nm節點(diǎn)三星更激進(jìn)，要全球首發(fā)GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術(shù)，而臺積電的3nm工藝依然會(huì )基于FinFET工藝。

  三星之前表示，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應管)，該技術(shù)可以顯著(zhù)增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

  根據三星的說(shuō)法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來(lái)說(shuō)卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

  當然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰也不少，光是量產(chǎn)就是個(gè)問(wèn)題，之前三星宣傳2021年就量產(chǎn)，實(shí)際上并沒(méi)有，最快也是今年，而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

  據韓國媒體報道，三星已經(jīng)準備在韓國平澤市的P3工廠(chǎng)開(kāi)工建設3nm晶圓廠(chǎng)了，6、7月份動(dòng)工，并及時(shí)導入設備。

  按照這個(gè)進(jìn)度，今年的3GAE工藝應該也只會(huì )是小規模試產(chǎn)，大規模量產(chǎn)也要到明年了，跟臺積電的3nm工藝差不多，兩家都因為種種問(wèn)題延期量產(chǎn)3nm工藝了。