3nm工藝投產(chǎn)！三星反超臺積電

  ICC訊  據韓國媒體報道，三星電子今日正式投產(chǎn)GAA架構的3nm工藝芯片制造，為趕超臺積電奠定基礎。報道稱(chēng)，GAA架構優(yōu)于當前廣泛使用的FinFET架構。

  臺積電此前宣布在今年下半年量產(chǎn)3nm工藝。這意味著(zhù)，三星首次在先進(jìn)工藝層面反超臺積電。此外，英特爾預計在明年下半年量產(chǎn)3nm工藝芯片。

  這一工廠(chǎng)投產(chǎn)也打破了業(yè)界的大量猜疑。此前臺灣業(yè)界就認為，三星可能因為3nm良率過(guò)低，而不得不延后量產(chǎn)。

  客觀(guān)來(lái)說(shuō)，這一猜疑具有歷史基礎。三星一直努力追趕臺積電的先進(jìn)工藝，但步伐太大，良率時(shí)不時(shí)成為隱患。在晶圓代工市場(chǎng)，三星也大幅落后于臺積電的份額。

  對于三星的突破性進(jìn)展，臺積電表示不予評論。據稱(chēng)，臺積電基于FinFET架構的3nm工藝將進(jìn)入量產(chǎn)階段，并搭配FINLEX架構。此外，2nm工藝預計在2025年量產(chǎn)。

  數據顯示，三星芯片制造60%產(chǎn)能供給集團旗下公司。預計本次3nm產(chǎn)能也不例外，將優(yōu)先三星集團使用。