消息稱(chēng)聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠(chǎng)：可能生產(chǎn)40nm以下制程的芯片

  ICC訊  近日有市場(chǎng)消息稱(chēng)，聯(lián)電計劃投資約 229 億元人民幣在新加坡建設第二座 12 英寸晶圓廠(chǎng)，月產(chǎn)能至少 2 萬(wàn)~3 萬(wàn)片，可能生產(chǎn) 40nm 以下制程的芯片。

  據報道，聯(lián)電對此回應稱(chēng)，新加坡本來(lái)就有設廠(chǎng)，在全球有據點(diǎn)的地方持續評估建廠(chǎng)規劃，不過(guò)目前還沒(méi)有確切地點(diǎn)。

  據了解，聯(lián)電新加坡廠(chǎng) Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區，于 2004 年開(kāi)始量產(chǎn)，月產(chǎn)能為 5 萬(wàn)片，制程為 0.13 微米至 40nm，產(chǎn)品涵蓋 FPGA、無(wú)線(xiàn)通訊芯片等。

  業(yè)界人士認為，聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程，如 28nm 制程生產(chǎn)芯片。

  據悉，晶圓代工產(chǎn)能持續供不應求，聯(lián)電 5 月 1 日、7 月 1 日代工報價(jià)已漲過(guò)兩波。

  由于產(chǎn)能不足，聯(lián)電計劃擴充在臺南科學(xué)園區 Fab 12A P6 廠(chǎng)區產(chǎn)能，將采用 28nm 制程，月產(chǎn)能 2.75 萬(wàn)片，客戶(hù)將以議定價(jià)格預先支付訂金，預計新產(chǎn)能將于 2023 年第 2 季度開(kāi)出。