美國兩大芯片巨頭，宣布聯(lián)手

  ICC訊  英特爾表示，其工廠(chǎng)將開(kāi)始生產(chǎn)高通公司的芯片，并公布了一份擴大新代工業(yè)務(wù)的路線(xiàn)圖---要在2025年追趕上臺積電和三星電子。

  英特爾稱(chēng)，公司將使用日后推出的20A制程工藝來(lái)生產(chǎn)高通芯片，但沒(méi)有披露它將生產(chǎn)高通的哪款產(chǎn)品以及首批芯片的推出時(shí)間。英特爾20A工藝定于2024年發(fā)布，它將推出新的晶體管架構RibbonFET。

  除高通外，亞馬遜云計算服務(wù)AWS也將與英特爾代工服務(wù)合作，使用英特爾的封裝解決方案，但英特爾并不直接為亞馬遜生產(chǎn)芯片。

  英特爾還表示，預期將在2025年重新奪回芯片制造領(lǐng)先優(yōu)勢。

  英特爾技術(shù)專(zhuān)家詳述了以下路線(xiàn)圖，其中包含新的節點(diǎn)命名和實(shí)現每個(gè)制程節點(diǎn)的創(chuàng )新技術(shù)：

  ① 基于FinFET晶體管優(yōu)化，Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶(hù)端產(chǎn)品將會(huì )采用Intel 7工藝，之后是面向數據中心的Sapphire Rapids預計將于2022年第一季度投產(chǎn)。

  ② Intel 4完全采用EUV光刻技術(shù)，可使用超短波長(cháng)的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進(jìn)，Intel 4將在 2022 年下半年投產(chǎn)，并于 2023年出貨，這些產(chǎn)品包括面向客戶(hù)端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。

  ③ Intel 3憑借FinFET的進(jìn)一步優(yōu)化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實(shí)現約18%的提升，在芯片面積上也會(huì )有額外改進(jìn)。Intel 3將于2023年下半年開(kāi)始用于相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。

  ④ Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)開(kāi)啟埃米時(shí)代。RibbonFET是英特爾對GAA(Gate All Around)晶體管的實(shí)現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET 以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構。該技術(shù)加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現與多鰭結構相同的驅動(dòng)電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò )，通過(guò)消除晶圓正面供電布線(xiàn)需求來(lái)優(yōu)化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。英特爾也很高興能在Intel 20A制程工藝技術(shù)上，與高通公司進(jìn)行合作。

  ⑤ 2025 年及更遠的未來(lái)：從Intel 20A更進(jìn)一步的Intel 18A節點(diǎn)也已在研發(fā)中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進(jìn)行改進(jìn)，在晶體管性能上實(shí)現又一次重大飛躍。英特爾還致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與 ASML 密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當前一代 EUV。

  本文轉載自：5G微信公眾平臺(ID：angmobile)