II-VI與SEDI合作 打造150mm晶圓制造平臺

  ICCSZ訊（編譯：Nina）日前，領(lǐng)先的化合物半導體解決方案供應商II-VI公司(納斯達克：IIVI)，宣布與住友電工(TYO：5802)旗下子公司住友電氣設備創(chuàng )新公司(Sumitomo Electric Device Innovations，SEDI)進(jìn)行戰略合作，打造一個(gè)垂直整合的150mm晶圓制造平臺，來(lái)制造最先進(jìn)的碳化硅(SiC)襯底氮化鎵(GaN)HEMT器件，以支持下一代無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )。

  部署下一代寬帶無(wú)線(xiàn)服務(wù)的競爭正在推動(dòng)具有關(guān)鍵支持技術(shù)的可擴展戰略供應鏈的發(fā)展。II-VI在150mm化合物半導體制造方面的領(lǐng)導地位與SEDI在GaN RF器件技術(shù)方面的領(lǐng)先地位相結合，將使雙方能夠帶來(lái)具有一流性能、更大規模和更具競爭力成本的5G RF解決方案。

  SEDI公司總監Keiichi Imamura表示：“II-VI已投入大量資金建立世界級的150mm化合物半導體制造平臺。面對快速增長(cháng)的市場(chǎng)機遇，現在是時(shí)候將我們長(cháng)期的商業(yè)關(guān)系發(fā)展成全面戰略關(guān)系。我們將利用II-VI的制造平臺實(shí)現規模經(jīng)濟，以滿(mǎn)足即將到來(lái)的全球化碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件需求?！?

  II-VI公司總裁兼首席執行官Chuck Mattera博士表示：“我們很高興與無(wú)線(xiàn)通信應用的高性能氮化鎵HEMT產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)導者SEDI合作。這種合作將打造一個(gè)從基板到RF模塊的差異化、垂直整合的價(jià)值鏈解決方案。將SEDI業(yè)界領(lǐng)先的HEMT器件技術(shù)與我們的150mm制造平臺相結合，將加速兩家公司的寬帶RF產(chǎn)品路線(xiàn)圖，并在未來(lái)數年內確保領(lǐng)先的技術(shù)和市場(chǎng)地位。為迎接產(chǎn)能需求的攀升，我們正在準備一個(gè)150mm的半絕緣基板制造平臺，并擴展我們的新澤西Warren工廠(chǎng)，以將這些核心技術(shù)增加到我們不斷增長(cháng)的光電器件制造能力中?！?

  II-VI的新澤西州Pinebrook工廠(chǎng)和伊利諾伊州Champaign工廠(chǎng)滿(mǎn)足寬帶隙半導體材料快速增長(cháng)的市場(chǎng)需求。公司位于新澤西州Warren的150mm生產(chǎn)設施預計將在2020年中期完成碳化硅襯底氮化鎵(GaN-on-SiC)HEMT器件的生產(chǎn)認證。