ICC訊 近日,英特爾代工服務(wù)事業(yè)部和ARM宣布簽署了一項涉及多代前沿系統芯片設計的合作協(xié)議。該協(xié)議旨在使芯片設計公司能夠利用Intel 18A制程工藝開(kāi)發(fā)低功耗計算系統級芯片(SoC)。此次合作將首先聚焦于移動(dòng)系統級芯片的設計,未來(lái)有望擴展到汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、數據中心、航空和政府應用領(lǐng)域。ARM的客戶(hù)在設計下一代移動(dòng)系統級芯片時(shí)將受益于出色的Intel 18A制程工藝技術(shù),該技術(shù)帶來(lái)了全新突破性的晶體管,有效地降低了功耗并提高晶體管性能。與此同時(shí),他們還將受益于英特爾代工服務(wù)強大的制造能力。
英特爾的IDM 2.0戰略之一便是在全球各地投資領(lǐng)先的制造生產(chǎn)能力,以滿(mǎn)足持續且長(cháng)期的芯片需求。此次的合作將為從事基于A(yíng)rm CPU內核設計移動(dòng)SoC的代工客戶(hù)提供一個(gè)有韌性的全球供應鏈。通過(guò)英特爾制程工藝解鎖ARM的尖端計算產(chǎn)品組合和世界級IP,ARM的合作伙伴將能充分利用傳統的晶圓制造,還包括封裝、軟件和芯粒在內的英特爾開(kāi)放式系統級代工模式。
英特爾代工服務(wù)事業(yè)部和ARM將進(jìn)行設計工藝協(xié)同優(yōu)化。其中,芯片設計和制程工藝將被一同優(yōu)化,以改善針對Intel 18A制程工藝技術(shù)的ARM內核的功耗、性能、面積和成本。Intel 18A提供了兩項突破性技術(shù)——用于優(yōu)化電能輸送的PowerVia以及用于優(yōu)化性能和功耗的全環(huán)繞柵極晶體管架構RibbonFET。英特爾代工服務(wù)事業(yè)部和ARM將開(kāi)發(fā)一種移動(dòng)參考設計,從而為代工客戶(hù)展示軟件和系統知識。隨著(zhù)行業(yè)從設計工藝協(xié)同優(yōu)化向系統工藝協(xié)同優(yōu)化演進(jìn),ARM和英特爾代工服務(wù)事業(yè)部將攜手合作,充分利用英特爾獨特的開(kāi)放式系統級代工模式,通過(guò)封裝和芯片對應用和軟件平臺進(jìn)行優(yōu)化。