II-VI宣布收購Ascatron和INNOViON

  ICC訊（編譯：Nina）2020年8月12日--化合物半導體領(lǐng)導者II-VI Incorporated(納斯達克：IIVI)今天宣布，它已達成一項最終協(xié)議，收購碳化硅SiC外延晶片和電力電子器件領(lǐng)導者Ascatron AB的所有已發(fā)行股份。II-VI還宣布，它將收購用于硅和化合物半導體器件的離子注入技術(shù)的領(lǐng)導者INNOViON Corporation。兩項交易均計劃在2020日歷年完成。

  Ascatron生產(chǎn)最先進(jìn)的SiC外延晶片和器件，支持各種高壓電力電子應用。Ascatron由寬帶隙材料專(zhuān)家團隊領(lǐng)導，他們在SiC和半導體行業(yè)中擁有200余人年(person-years)的經(jīng)驗，為SiC開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工藝帶來(lái)世界一流的競爭力。

  INNOViON是世界上最大的離子注入服務(wù)提供商，在全球范圍內擁有30臺注入器，支持最大300毫米晶圓的半導體材料處理方面的獨特功能。INNOViON的工藝能夠摻雜各種半導體材料，包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦和硅，以生產(chǎn)先進(jìn)的器件。

  II-VI首席執行官Vincent D.(Chuck) Mattera Jr.博士表示：“Ascatron和INNOViON的技術(shù)平臺都是同類(lèi)產(chǎn)品中最好的，并且是對我們市場(chǎng)領(lǐng)先的SiC襯底、我們在全球的大規模晶圓制造工廠(chǎng)，以及我們最近從GE公司獲得許可的SiC器件技術(shù)的完美補充。我們將繼續使用先進(jìn)的材料和組件為現有客戶(hù)提供服務(wù)，同時(shí)我們將結合這些功能，打造世界上最先進(jìn)的內部垂直集成的150nm SiC技術(shù)平臺之一?！?

  作為其垂直整合戰略的一部分，II-VI正利用其廣泛的工程材料和光電器件技術(shù)以及其在全球的制造能力，通過(guò)開(kāi)發(fā)高性能化合物半導體器件，來(lái)擴大規模和實(shí)現創(chuàng )新。