三星電子在美半導體工廠(chǎng)建設成本大增近50%

  ICC訊 據報道，三星電子在美國德克薩斯州泰勒市建設的半導體工廠(chǎng)預計將耗資超過(guò)250億美元，這比三星在該半導體廠(chǎng)破土動(dòng)工時(shí)宣布的170億美元增加了80多億美元。而成本增加的主要原因是全球通貨膨脹導致的原材料價(jià)格上漲。

  據了解，三星這一先進(jìn)半導體生產(chǎn)基地將占用約500萬(wàn)平方米的土地，計劃將于2024年下半年投產(chǎn)。據報道，三星目前對泰勒晶圓廠(chǎng)的投資是其最初宣布的投資(170億美元)的一半。

  由于美國半導體支持法案中的一些不利條款，如需要企業(yè)分享超額利潤以及不能在中國增加芯片產(chǎn)量等，三星電子正在考慮是否向美國政府申請補貼的問(wèn)題。

  不過(guò)，一位業(yè)內人士表示：“即使三星電子獲得美國的補貼，韓國芯片制造商也很難支付增加的建設成本。這將加深三星電子的擔憂(yōu)?！?

  專(zhuān)家們認為，從長(cháng)遠來(lái)看，三星電子的半導體投資計劃不太可能有大的改變。即使在半導體市場(chǎng)不景氣的時(shí)候，該公司也能通過(guò)保持投資規模來(lái)保證生產(chǎn)能力，因此預計該芯片制造商在接下來(lái)的日子里會(huì )堅持這一策略。