美國研究團隊開(kāi)發(fā)出硅基芯片上光通信技術(shù)

       ICCSZ訊 美國麻省理工學(xué)院發(fā)布消息稱(chēng)，該校一個(gè)研究團隊開(kāi)發(fā)出一種新材料，可集成在硅基芯片上進(jìn)行光通信，從而比導線(xiàn)信號傳輸具有更高的速度和更低的能耗。該成果發(fā)布在最新出版的《自然·納米技術(shù)》期刊上。

       這種新材料為二碲化鉬，是近年來(lái)引人關(guān)注的二維過(guò)渡金屬硫化物的一種。這種超薄結構的半導體可以集成在硅基芯片上，并可以在電極作用下發(fā)射或接收光信號。傳統上，砷化鎵是良好的光電材料，但很難與硅基材料兼容。此外，傳統的光電材料發(fā)出的光信號在可見(jiàn)光頻段，易被硅材料吸收；而二碲化鉬可發(fā)射紅外光，不易被硅吸收，因此適合在芯片上進(jìn)行光通信。

       目前，這一技術(shù)處于概念驗證階段，距離實(shí)用還有一定距離。研究團隊還在關(guān)注其它可集成在硅基芯片上的超薄材料（如黑磷等）在光通信領(lǐng)域的應用。通過(guò)改變黑磷材料堆積的層數，可以調節其所發(fā)射光信號的波長(cháng)，從而與目前主流的光通信技術(shù)兼容。