芯辰半導體光芯片外延片投產(chǎn)

  據“勢能資本”官微消息，芯辰半導體(蘇州)有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“芯辰半導體”)外延設備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。

  據介紹，芯辰半導體目前已實(shí)現波長(cháng)范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn)，外延均勻性為激射中心波長(cháng)外2nm之內。其中典型波長(cháng)的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現VCSEL或DFB芯片驗證。

source：芯辰半導體

  此外，相關(guān)外延片已獲客戶(hù)長(cháng)期合作訂單，其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時(shí)配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測設備。

  公開(kāi)資料顯示，芯辰半導體專(zhuān)注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。其產(chǎn)品廣泛應用于光通信、激光雷達、生物醫學(xué)和先進(jìn)裝備等多個(gè)領(lǐng)域。公司采用IDM模式，致力于在太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。

  今年9月初，芯辰半導體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線(xiàn)完成試運行。該產(chǎn)線(xiàn)包含了從芯片設計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發(fā)平臺和產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)。同月，公司光芯片封測平臺建設完成并對外開(kāi)放。

  10月底，總投資達8億元的芯辰半導體項目一期在江蘇太倉實(shí)現了投產(chǎn)，預計達產(chǎn)后可實(shí)現年產(chǎn)8000萬(wàn)顆光芯片、產(chǎn)值10億元。