ICC訊 一臺單價(jià)26億元,這是目前最強的光刻機,而最先進(jìn)工藝離開(kāi)它,幾乎沒(méi)辦法繼續下去。
據供應鏈最新消息,TSMC的目標是在2025年量產(chǎn)其2納米(nm)半導體制造工藝。臺積電目前正準備加大其3nm節點(diǎn)的生產(chǎn),這被認為是世界上最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)之一,而他們也表示將繼續通過(guò)下一代技術(shù)引領(lǐng)全球半導體行業(yè)。
臺積電還將在2024年收購ASML的高NA EUV芯片制造機。這些細節是由臺積電負責研發(fā)和技術(shù)的高級副總裁Y.J. Mii博士分享的,由聯(lián)合新聞(UDN)報道。芯片制造行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵制約因素,也往往成為決定一家公司是否能獲得對其競爭對手的領(lǐng)先優(yōu)勢的關(guān)鍵因素。
涵蓋先進(jìn)的7納米和更小產(chǎn)品的制造技術(shù)需要使用極紫外光刻機(EUV)在小范圍內打印數十億個(gè)微小電路,全球目前只有臺積電、三星和Intel公司在使用。然而,芯片制造技術(shù)的進(jìn)一步進(jìn)步,涉及到電路尺寸的進(jìn)一步縮小,將使芯片制造商難以繼續使用這些機器。
芯片制造的下一階段,制造商將轉向具有更大鏡頭的機器。這些被稱(chēng)為高NA(數字孔徑),臺積電將在2024年收到它們。由此看來(lái),這些機器將被用來(lái)制造2納米制造工藝的芯片,因為這位高管還強調,這項技術(shù)將在2025年進(jìn)入大規模生產(chǎn)。
臺積電的3納米技術(shù)今年一直處于幾個(gè)爭議的中心,因為它的競爭對手三星公司搶先宣布在今年上半年進(jìn)行大規模生產(chǎn),而且市場(chǎng)報告稱(chēng),由于Intel公司的訂單問(wèn)題,臺積電將削減資本支出。