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上海微系統所等實(shí)現硅基異質(zhì)集成的片上量子點(diǎn)發(fā)光

摘要:中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所硅光課題組研究員武愛(ài)民團隊/龔謙團隊與浙江大學(xué)副教授金毅課題組合作,在硅基襯底上研制出超小尺寸的包含InAs量子點(diǎn)的納米共振結構,基于準BIC原理實(shí)現了O波段的片上發(fā)光。

  近日,中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所硅光課題組研究員武愛(ài)民團隊/龔謙團隊與浙江大學(xué)副教授金毅課題組合作,在硅基襯底上研制出超小尺寸的包含InAs量子點(diǎn)的納米共振結構,基于準BIC原理實(shí)現了O波段的片上發(fā)光。7月28日,相關(guān)研究成果以Heterogeneously integrated quantum-dot emitters efficiently driven by a quasi-BIC-supporting dielectric nanoresonator為題,在線(xiàn)發(fā)表在Photonics Research上,并被選為當期Highlight文章。

  硅光集成技術(shù)具有大帶寬、低成本、低功耗和高集成度等優(yōu)勢,應用于電信和數通的光互連,且在Lidar和醫療傳感及智能運算領(lǐng)域也頗具潛力。然而,由于硅是間接帶隙半導體,不能直接發(fā)光,硅基光源是行業(yè)亟待解決的關(guān)鍵難題。模組和系統中的光源仍利用III-V材料來(lái)實(shí)現,工業(yè)界成熟的技術(shù)主要是利用高精度封裝將外部光源與硅光芯片耦合成組件。多材料體系的混合集成光源是行業(yè)發(fā)展的核心方向,以下方案備受關(guān)注:Flip-Chip混合集成、異質(zhì)鍵合以及硅基異質(zhì)外延。微系統所硅光團隊深耕硅光Flip-Chip光源領(lǐng)域,在集成芯片上開(kāi)展高性能的應用示范,近期合作提出結合異質(zhì)集成和InAs量子點(diǎn)的亞波長(cháng)尺寸片上光源實(shí)現方法。量子點(diǎn)是納米尺度的零維結構,不僅對位錯缺陷比較鈍感,而且具備低閾值電流密度和高工作溫度等潛在性能。

  基于多級共振原理的單粒子共振器具有豐富的共振方式,但光場(chǎng)局域能力弱且Q值不夠高,難以實(shí)際應用于片上激光。準連續域束縛態(tài)(Quasi bound states in the continuum,QBICs)具有高局域性,為實(shí)現小尺寸以及陣列化的硅基發(fā)光器件開(kāi)辟了新路徑。合作團隊通過(guò)MBE(分子束外延)生長(cháng)了包含InAs量子點(diǎn)和應變緩沖/釋放層以及GaAs包層的復合結構,利用剝離和異質(zhì)鍵合將復合結構轉移到硅基襯底上(SiO2層上),結合準BIC的物理機制,利用微納加工工藝實(shí)現了亞波長(cháng)尺度的O波段的片上發(fā)光??蒲袌F隊將III-V量子點(diǎn)外延和異質(zhì)鍵合技術(shù)相結合,消除了晶格失配的同時(shí)也避免了硅基外延的復雜多層緩沖層結構,對于大規模片上光集成更有利,具體工藝流程見(jiàn)圖1。圖2(a)為結構示意圖,納米盤(pán)結構中包括了2.2原子層厚度的InAs量子點(diǎn),上下分別是2 nm和6 nm的應變緩沖層和應變釋放層,還包括上下的GaAs包層和AlAs犧牲層。InAs量子點(diǎn)位于盤(pán)的中心位置,以匹配準BIC模式的場(chǎng)分布,保證光與物質(zhì)充分的相互作用,該體系結構可以增強量子點(diǎn)與準BIC之間的耦合,從而增強光致發(fā)光;圖2(b)為不同尺寸諧振器的PL譜結果,結果表明,納米諧振器半徑尺寸在420 nm時(shí)支持準BIC態(tài),此時(shí)Q因子為68(理論值達到229),相比未達到準BIC態(tài)時(shí)最高提升了11倍,這使光致發(fā)光強度最高提升了8倍。通過(guò)提高復合外延層的質(zhì)量以及優(yōu)化膜轉移工藝可以進(jìn)一步增強發(fā)光性能。該研究為實(shí)現硅基集成的片上光源提供了頗有前景的解決方案,對于大規模的光集成提供了超小尺寸的新器件,進(jìn)一步實(shí)現電致發(fā)光的片上光源則有望為硅基發(fā)光提供更有實(shí)用價(jià)值的解決方案。

  研究工作得到國家自然科學(xué)基金、中科院青年創(chuàng )新促進(jìn)會(huì )等的支持。

圖1.異質(zhì)集成的InAs量子點(diǎn)發(fā)光器件的工藝流程。

圖2.異質(zhì)集成量子點(diǎn)發(fā)光的實(shí)驗結果。(a)準BIC態(tài)的片上量子點(diǎn)發(fā)光實(shí)驗示意圖,包括樣品的SEM圖;(b)不同半徑尺寸的InAs量子點(diǎn)的共振器在通信波段的光致發(fā)光光譜結果;(c)不同半徑的共振器對應的Q因子,藍色虛線(xiàn)對應準BIC出現。

內容來(lái)自:上海微系統與信息技術(shù)研究所
本文地址:http://joq5k4q.cn//Site/CN/News/2022/08/03/20220803063209972740.htm 轉載請保留文章出處
關(guān)鍵字: 硅基異質(zhì)集成
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