ICC訊 英飛凌已完成位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圓廠(chǎng)的第一階段建設。
英飛凌計劃于8月正式啟用居林3號晶圓廠(chǎng)模塊,SiC生產(chǎn)將于2024年底開(kāi)始。該晶圓廠(chǎng)是馬來(lái)西亞政府為提高該國芯片產(chǎn)量而制定的1000億美元計劃的核心。
SiC產(chǎn)線(xiàn)的生產(chǎn)設備正在安裝中,晶圓廠(chǎng)的設計可適應較新的設備類(lèi)型、產(chǎn)量和結構要求。
英飛凌和Wolfspeed正在爭奪全球最大200mm晶圓廠(chǎng)的頭銜,盡管兩者都尚未公布計劃產(chǎn)能。
此前,意法半導體在位于意大利卡塔尼亞的試驗生產(chǎn)線(xiàn)安裝后,獲得了全球首個(gè)綜合碳化硅晶圓工廠(chǎng)和量產(chǎn)工廠(chǎng)的資金批準。