臺積電與三星3nm開(kāi)發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或將推遲

  ICC訊 據臺媒報道，業(yè)內人士透露，目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)度都將放緩。

  此前，按臺積電公布的計劃，3nm將于今年完成認證與試產(chǎn)，2022年投入大規模量產(chǎn)，甚至業(yè)界有傳聞稱(chēng)蘋(píng)果已率先包下臺積電3nm初期產(chǎn)能，成為臺積電3nm的第一批客戶(hù)。

  此前業(yè)界預計臺積電和三星的3nm工藝都會(huì )在2022年實(shí)現量產(chǎn)，而臺積電有望領(lǐng)先三星至少半年。

  此前臺積電曾宣稱(chēng)，其3nm工藝會(huì )比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。

  臺積電2020年營(yíng)收持續創(chuàng )新高，臺積電董事長(cháng)劉德音此前曾表示，為提前布局3nm，臺積電已累計投資超過(guò)2萬(wàn)億元新臺幣，目標是3nm量產(chǎn)時(shí)，12 英寸晶圓月產(chǎn)能超過(guò)60萬(wàn)片。而為了爭奪市場(chǎng)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)準備投入1160億美元，以實(shí)現在3nm工藝上趕超臺積電。

  雖然三星和臺積電都在研發(fā)3nm工藝，但兩者采用的技術(shù)并不相同，臺積電采用了成熟的鰭式場(chǎng)效應晶體管技術(shù)(FinFET)，而三星則采用了環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。