下一代功率半導體，日本有了新進(jìn)展

  ICC訊  7月5日，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所(Institute of Industrial Science, University of Tokyo)開(kāi)發(fā)了一種利用濺射法合成高質(zhì)量氮化物半導體晶體的方法，并成功合成了新型電極晶體“AIGaN”。該公司宣布，通過(guò)與下一代功率半導體材料“氮化鋁鎵 (AlGaN)”接觸，成功制作出低電阻的高性能 AlGaN 晶體管原型。

  該結果基于東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所助理教授前田良太、上野晃平、副教授小林敦和藤岡浩的研究團隊。詳細內容發(fā)表在日本應用物理學(xué)會(huì )出版的學(xué)術(shù)期刊《應用物理快報》上。

  SiC、GaN等下一代功率半導體材料目前正在投入實(shí)際使用。通常，由輕元素構成的半導體被認為具有高的耐介質(zhì)擊穿性，即使是GaN，如果將一部分Ga替換為較輕的Al的AlGaN，則可以獲得具有更高的耐介質(zhì)擊穿性的晶體。已被確認。因此，AlGaN作為下一代功率半導體材料的應用被寄予厚望。

  然而，AlGaN半導體中的電子具有高能態(tài)，難以從外部注入電子，因此電極部分的電阻增大，難以制造出具有良好特性的晶體管。另外，由于在GaN、AlGaN等氮化物半導體的生長(cháng)中使用了作為高價(jià)的結晶生長(cháng)法的MOCVD法，因此還存在裝置的制造成本高的問(wèn)題。

  因此，研究小組現在正在開(kāi)發(fā)一種使用濺射法合成高質(zhì)量氮化物半導體晶體的方法，該方法可以有效且廉價(jià)地生產(chǎn)用于一般硅半導體制造工藝的薄膜，據說(shuō)已經(jīng)完成。

  他們還發(fā)現，通過(guò)將Si原子以1×10 20 cm^ -3以上的高濃度引入GaN晶體中，可以合成一種新材料簡(jiǎn)并GaN，其中一些簡(jiǎn)并GaN晶體處于高能態(tài)。他還發(fā)現，電子的存在使得通過(guò)將簡(jiǎn)并GaN與AlGaN作為新的電極晶體接觸，可以將電子注入到低電阻的AlGaN中。

  此外，在本研究中，我們成功地制作了一種高性能 AlN/AlGaN 異質(zhì)結高電子遷移率晶體管 (HEMT)，該晶體管的電子注入層的源極和漏極使用AlGaN，并且具有低電阻。還證明了它可以實(shí)現高性能的AlGaN晶體管。

  研究小組表示，通過(guò)使用這種方法，可以制造低成本、高性能的功率半導體材料，并將其用作下一代無(wú)線(xiàn)通信元件，如未來(lái)的高性能功率轉換元件和6G通訊，預計會(huì )用到。因此，研究團隊計劃優(yōu)化新設備的結構，為未來(lái)的社會(huì )化應用做準備。