芯速聯(lián)光電楊明：構建芯片模塊垂直研發(fā)制造 賦能高速光模塊核心競爭力

  ICC訊 6月15日，在2023中國光網(wǎng)絡(luò )研討會(huì )（OPTiNET CHINA）上，高速光芯片與光模塊供應商商寧波芯速聯(lián)光電科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“芯速聯(lián)”)創(chuàng )始人＆首席執行官楊明發(fā)表了《基于自研芯片平臺的400G/800硅光模塊已開(kāi)啟量產(chǎn)征程》的演講匯報，介紹了公司核心競爭力的成長(cháng)，包括從硅光芯片到模塊的垂直整合能力，高性能產(chǎn)品量產(chǎn)情況，以及超級制造工廠(chǎng)的建設進(jìn)展。

  2023年以來(lái)，伴隨著(zhù)人工智能應用ChatGPT風(fēng)靡全球拉開(kāi)了世界AI時(shí)代的帷幕，英偉達最新GH200 Grace Hopper 超級芯片和DGX GH200 超級計算機系統，以其強大的算力性能和通信硬件賦能 AI和數據中心發(fā)展。在傳統云服務(wù)需求之外，AI算力需求正在成為光通訊技術(shù)產(chǎn)業(yè)全新增長(cháng)驅動(dòng)力， 400G/800G光模塊器件作為AI算力性能的關(guān)鍵硬件之一，其市場(chǎng)需求逐步超越行業(yè)預期。面對AI、云計算、互聯(lián)網(wǎng)流量驅動(dòng)高速光模塊市場(chǎng)加速放量，光通信如何及時(shí)抓住市場(chǎng)機遇？楊明認為，充足的制造能力和垂直的研發(fā)能力是保障企業(yè)核心競爭力，贏(yíng)下市場(chǎng)份額的關(guān)鍵。

  在制造方面，芯速聯(lián)擁有Chip-to-Transciver生產(chǎn)體系，在光芯片設計環(huán)節，公司享有專(zhuān)利的Hyper Silicon芯片技術(shù)可以自主研發(fā)具有更低損耗、更高帶寬的PIC（光子集成電路）和AWG（平面光波導）芯片。在芯片制造環(huán)節，芯速聯(lián)與世界領(lǐng)先的SiPh（硅光）晶圓公司合作進(jìn)行獨特的SiPh晶圓和芯片后段處理。在芯片封裝和光模塊生產(chǎn)方面，芯速聯(lián)擁有自動(dòng)化耦合與側能力，通過(guò)專(zhuān)有的光組件設計和開(kāi)發(fā)完成光芯片封裝，隨后通過(guò)低成本、高可靠性的COB封裝產(chǎn)線(xiàn)完成光模塊的批量生產(chǎn)。

  在研發(fā)方面，芯速聯(lián)建立了從硅光芯片到硅光模塊的垂直研發(fā)體系，包括AWG波分光器件芯片設計平臺、四通道/八通道光引擎/模塊設計平臺、硅光器件芯片設計平臺和DSP芯片設計平臺。目前公司已經(jīng)完成800G-1.6T關(guān)鍵技術(shù)的儲備，基于器件三位建模、光耦合/光學(xué)器件/器件高速信號仿真，以及高速PCB布線(xiàn)設計等能力，具備生光模塊各個(gè)環(huán)節的技術(shù)能力，持續推動(dòng)產(chǎn)品更新迭代。

  楊明介紹，芯速聯(lián)將公司所有技術(shù)特點(diǎn)整合成為Hyper Silicon解決方案，該方案具有八個(gè)優(yōu)勢，表現為PAM4自研平臺可以最小化每吉比特價(jià)格，最大化帶寬的密度和可擴展性；PIC的小尺寸和簡(jiǎn)單耦合可以使分立式成本降低30%；差分驅動(dòng)調制器可以提供高調制效率并支持Serdes直驅?zhuān)桓邘扢Z調制器可支持高達200G/lane的動(dòng)態(tài)帶寬調制；硅光芯片SiN邊緣耦合可以消除非線(xiàn)性效應以支持20dBm的高輸入功率；芯片后處理到模塊測試的全自動(dòng)化；MES制造系統監控生產(chǎn)；以及12000平方米超級工廠(chǎng)快速響應需求激增。

  在Hyper Silicon PIC技術(shù)方面，楊明進(jìn)一步介紹到，芯速聯(lián)工程團隊來(lái)自全球，累計擁有超過(guò)35年的SiPh設計經(jīng)驗，完成超過(guò)30次流片掩膜，在A(yíng)WG、相干 PIC、4x25G PSM4等SiPh器件擁有成功經(jīng)驗。公司團隊開(kāi)發(fā)的Hyper Silicon PIC面向400G DR4、800G DR8/DR4、1.6T DR8等主流市場(chǎng)產(chǎn)品應用，可實(shí)現53.125Gbaud，具有4.5dB高消光比，通過(guò)采用邊緣耦合設計支持低損耗光纖陣列或透鏡耦合實(shí)現極低的片上損耗（<9dB）?；贖yper Silicon PIC的400G DR4光模塊TX功率、消光比、TDECQ和RX靈敏度（OMA）等皆領(lǐng)先于業(yè)內平均水準。

  在產(chǎn)品發(fā)展和規劃方面，芯速聯(lián)基于Hyper Silicon PAM4的400G DR4/800G DR8和相干400G ZR/ZR+模塊已在今年一季度正式量產(chǎn)，該產(chǎn)品的直驅版本預計于明年二季度推出樣品。公司800G產(chǎn)品正在送樣，明年有望實(shí)現部分產(chǎn)品量產(chǎn)。此外，公司的寧波中試線(xiàn)已經(jīng)完成從芯片到模塊的研發(fā)制造平臺建設，安徽超級工廠(chǎng)將在第二季度完成，將實(shí)現高速光模塊年產(chǎn)能75萬(wàn)只，覆蓋400G/800G及1.6T 等產(chǎn)品，為贏(yíng)得高速光模塊市場(chǎng)升級換代機遇搶占先機。